[发明专利]一种高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料，其特征在于，所述中子屏蔽材料包括以下组分：

1~4 份二氧化硅；

1~5 份三氧化二铝；

3~8 份磷酸钾；

1~4 份三氧化二硼；

0.2~1.5份氧化钙，以及

80~90份碳化硼；

所述中子屏蔽材料中的硼含量为63~71 wt%。

2.根据权利要求1所述的高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料，其特征在于，所述中子屏蔽材料的密度为1.6~1.8 g/cm³。

3.根据权利要求1或2所述的高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料，其特征在于，所述中子屏蔽材料的抗压强度为29~65MPa。

4.一种制备权利要求1所述的高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料的方法，其特征在于，将

1~4 份二氧化硅；

1~5 份三氧化二铝；

3~8 份磷酸钾；

1~4 份三氧化二硼；以及

0.2~1.5份氧化钙进行混合后研磨至粉末，与80~90份碳化硼粉末混合均匀，压制成型，在500~550℃空气气氛中低温烧结，得到硼含量为63~71 wt%的中子屏蔽材料。

5.根据权利要求4所述的高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料的方法，其特征在于，所述二氧化硅、三氧化二铝、磷酸钾、三氧化二硼和氧化钙研磨至平均粒径为1~5微米的粉末。

6.根据权利要求4或5所述的高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料的方法，其特征在于，所述碳化硼粉末为过150~800目筛后粒径为微米的碳化硼微粉。

7.根据权利要求4或5所述的高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料的方法，其特征在于，所述压制成型中施加的压力为10~25 MPa。

8.根据权利要求4或5所述的高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料的方法，其特征在于，所述空气气氛中低温烧结的温度为510~540℃。