[发明专利]可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法在审
申请号: | 201810052181.0 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108389866A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 俞凤至;刘晓佳 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/683 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可折叠显示屏 弯折区 阻挡层 衬底 工艺腔室 金属层 显示区 制造 相邻设置 有效减少 有机物 挥发 减小 污染 | ||
本发明提供一种可折叠显示屏,包括显示区及弯折区,所述弯折区与所述显示区相邻设置,所述弯折区包括柔性衬底、第一阻挡层及金属层;所述第一阻挡层设置在所述柔性衬底的一表面上;所述金属层设置在所述第一阻挡层上。本发明还提供一种可折叠显示屏的制造方法。本发明提供的可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法,可以有效减少柔性衬底挥发的有机物进入工艺腔室,从而能够减小工艺腔室的污染。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法。
背景技术
柔性显示装置具有耐冲击、重量轻、携带方便等优点,其具有传统显示器不能实现的功能和用户体验的优势,因此柔性显示技术越来越受到人们的重视,例如,可折叠显示装置、可弯曲显示装置或可卷曲显示装置。在可折叠显示装置中的可折叠显示屏包括显示区与弯折区,可折叠显示屏的弯折区结构通常包括柔性衬底与金属层。虽然柔性衬底上有无机阻挡层覆盖,但是在柔性衬底上沉积金属层前,需要将无机阻挡层刻蚀掉。
现有技术中,柔性衬底的材料通常为PI材料,由于PI材料为有机材料,耐热温度在400℃左右,而无机阻挡层需要在化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)工艺腔室高温进行成膜,这样将会导致柔性衬底挥发出未完全固化的有机物和水氧,从而对CVD工艺腔室造成污染。同时,CVD成膜时的等离子轰击也会对柔性衬底产生损伤,导致柔性衬底挥发出一定的副产物。而在对无机阻挡层进行干刻时的过刻蚀也会对柔性衬底造成损伤。此外金属层的沉积温度为150-250摄氏度,且功率较大,轰击作用很强,很容易破坏柔性衬底,并对溅射腔室和靶材造成污染。
发明内容
有鉴于此,本发明目的在于提供一种可折叠显示屏及可折叠显示屏的制造方法,可以有效减少柔性衬底挥发的有机物进入工艺腔室,从而能够减小工艺腔室的污染。
具体地,本发明实施例提供一种可折叠显示屏,包括显示区及弯折区,所述弯折区与所述显示区相邻设置,所述弯折区包括柔性衬底、第一阻挡层及金属层;所述第一阻挡层设置在所述柔性衬底的一表面上;所述金属层设置在所述第一阻挡层上。
具体地,所述第一阻挡层为由ITO材料制成的ITO膜层。
具体地,所述ITO膜层由溅射设备在常温下在所述柔性衬底的一表面上沉积得到,且所述ITO膜层的厚度为20-40nm。
具体地,所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺,在硬性基板上涂布所述聚酰亚胺后进行固化得到所述柔性衬底。
具体地,所述可折叠显示屏还包括第二阻挡层,所述第二阻挡层设置在所述第一阻挡层远离所述柔性衬底的一表面上,且将与所述弯折区相对应的所述第二阻挡层进行刻蚀得到图案化第二阻挡层。
具体地,所述第二阻挡层为由硅氮氧化物或硅氧化物材料制成的无机层,所述无机层由化学气相沉积工艺在腔室温度为300°-400°下成膜得到。
本发明实施例还提供一种可折叠显示屏的制造方法,所述可折叠显示屏包括显示区及弯折区,所述弯折区与所述显示区相邻设置,所述可折叠显示屏的制造方法包括:提供一硬性基板;在所述硬性基板上制作柔性衬底;在所述柔性衬底上沉积第一阻挡层;形成所述第一阻挡层后,在所述第一阻挡层远离所述柔性衬底的一表面上沉积第二阻挡层,并在所述第二阻挡层形成后,将与所述弯折区对应的所述第二阻挡层进行刻蚀得到图案化第二阻挡层;在所述图案化第二阻挡层上沉积金属层;形成所述金属层后,将所述柔性衬底与所述硬性基板进行剥离。
具体地,所述第一阻挡层为由ITO材料制成的ITO膜层,所述ITO膜层由溅射设备在常温下在所述柔性衬底的一表面上沉积得到,且所述ITO膜层的厚度为20-40nm。
具体地,所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺,在所述硬性基板上涂布所述聚酰亚胺后进行固化得到所述柔性衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的