[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201810052245.7 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108281438A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 丁琦;黄晓橹;陈世杰;内藤逹也 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素区域 深沟槽隔离 光电转换元件 图像传感器 光接收面 基底 入射 开口 第一表面 相邻像素区域 滤色元件 相位检测 滤光层 格栅 像素 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
基底,所述基底中设置有多个像素区域、及位于相邻的像素区域之间的第一深沟槽隔离,每个像素区域中设置有光电转换元件;以及
滤光层,设置于所述基底的第一表面,所述滤光层包括:格栅,所述格栅具有多个开口,每个开口对应所述基底内的一个像素区域,以及设置于所述开口内的滤色元件;
其中,所述多个像素区域包括作为相位检测像素的第一像素区域和第二像素区域,所述第一像素区域和所述第二像素区域中还分别设置有第二深沟槽隔离,所述第二深沟槽隔离和所述光电转换元件在所述基底的第一表面上均具有光接收面,使得入射至所述第一像素区域和所述第二像素区域的光的一部分能够入射至所述光电转换元件的光接收面、另一部分能够入射至所述第二深沟槽隔离的光接收面。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,位于所述第一像素区域上的滤色元件和位于所述第二像素区域上的滤色元件具有针对相同波段的光高于其他波段的光的透射率。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述相同波段的光包括绿光。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二深沟槽隔离和所述光电转换元件在所述第一表面的光接收面的面积分别为其所在的像素区域在所述第一表面的面积的二分之一。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二深沟槽隔离与所述第一深沟槽隔离的材料相同。
6.如权利要求1或5所述的图像传感器,其特征在于,所述第二深沟槽隔离的材料为金属或氧化物。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括介电层,设置于所述滤光层和所述基底之间。
8.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第一像素区域和所述第二像素区域相邻设置,位于所述第一像素区域的第二深沟槽隔离和位于所述第二像素区域的第二深沟槽隔离分别与位于所述第一像素区域和所述第二像素区域之间的第一深沟槽隔离的两侧连接以形成连续的深沟槽隔离带,位于所述第一像素区域的光电转换元件和位于所述第二像素区域的光电转换元件分别位于所述深沟槽隔离带的两侧。
9.如权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述深沟槽隔离带包括金属填充物和氧化物填充物,所述金属填充物位于所述氧化物填充物形成的凹槽内。
10.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底中设置有多个像素区域;
在每个像素区域中形成光电转换元件;
在所述基底内相邻的像素区域之间形成第一深沟槽隔离,在所述多个像素区域中作为相位检测像素的第一像素区域和所述第二像素区域中分别形成第二深沟槽隔离,所述第二深沟槽隔离和所述光电转换元件在所述基底的第一表面上均具有光接收面,使得入射至所述第一像素区域和所述第二像素区域的光的一部分能够入射至所述光电转换元件的光接收面、另一部分能够入射至所述第二深沟槽隔离的光接收面;以及
在所述基底的第一表面形成滤光层,包括:在所述基底的第一表面形成具有多个开口的格栅,每个开口对应所述基底内的一个像素区域,在所述开口中形成滤色元件。
11.如权利要求10所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,在所述开口中形成滤色元件包括:
在与所述第一像素区域对应的开口中形成的滤色元件和在与所述第二像素区域对应的开口中形成的滤色元件具有针对相同波段的光高于其他波段的光的透射率。
12.如权利要求11所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述相同波段的光包括绿光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的