[发明专利]可挠式超薄发光体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种可挠式超薄发光体结构，其包括：柔性介电层、形成在所述柔性介电层表面的导电线路层、形成在所述导电线路层上的发光芯片及覆盖所述发光芯片的封装层，所述封装层覆盖所述发光芯片及填充发光芯片之间的间隙。

2.如权利要求1所述的可挠式超薄发光体结构，其特征在于，所述封装层的厚度介于1微米至500微米，所述封装层的热膨胀系数与所述介电层的热膨胀系数一致。

3.如权利要求1所述的可挠式超薄发光体结构，其特征在于，所述柔性介电层为透明的高分子薄膜，所述柔性介电层的厚度介于5微米至50微米，所述导电线路层的厚度为5至50微米。

4.一种可挠式超薄发光体结构的制作方法，其包括步骤：

提供支撑基板，在所述支撑基板的表面形成一层柔性介电层；

在所述柔性介电层的表面形成导电线路层；

在所述导电线路层的表面设置多个发光芯片；

在所述发光芯片的表面形成一层的封装层，所述封装层覆盖所述发光芯片及填充发光芯片之间的间隙；以及

将所述柔性介电层底面的所述支撑基板移除，以得到可挠式超薄发光体结构。

5.如权利要求4所述的可挠式超薄发光体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述导电线路层之后还包括利用低温多晶硅技术在所述导电线路层的表面形成电路元件的步骤。

6.如权利要求4所述的可挠式超薄发光体结构的制作方法，其特征在于，所述导电线路层是通过溅镀、气相沉积或者电镀的方式形成在所述柔性介电层上，所述导电线路层的厚度为5至50微米。

7.如权利要求4所述的可挠式超薄发光体结构的制作方法，其特征在于，该支撑基板是通过弯折分离、蚀刻、激光切割或研磨的方式而移除。

8.如权利要求4所述的可挠式超薄发光体结构的制作方法，其特征在于，所述柔性介电层为透明的高分子薄膜，所述柔性介电层的厚度介于5微米至50微米。

9.如权利要求4所述的可挠式超薄发光体结构的制作方法，其特征在于，所述封装层的热膨胀系数与所述介电层的热膨胀系数一致，且所述封装层的厚度介于1微米至500微米。

10.如权利要求9所述的可挠式超薄发光体结构的制作方法，其特征在于，该封装层为聚对苯二甲酸乙二醇酯、环氧树脂、硅氧烷其中之一。