[发明专利]一种自均衡功率模组及其控制方法在审

专利信息
申请号: 201810052348.3 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN108092492A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 尚加辉 申请(专利权)人: 深圳市埃塔测控技术有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 深圳大域知识产权代理有限公司 44479 代理人: 何园园
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功率模组 均衡功率 模组 熔断元件 运放 输入端 大功率电子 并联连接 反馈支路 功率恒定 回路设置 输出端 主回路 带载 旁路 保证
【权利要求书】:

1.一种自均衡功率模组,所述自均衡功率模组用于构造大功率电子负载,其特征在于,所述自均衡功率模组包括:

并联连接的若干MOSFET(40);

相同数量的第一运放(20),对应连接所述若干MOSFET用于分别控制所述若干MOSFET;

相同数量的第一熔断元件(50),对应设置于所述若干MOSFET的回路;以及

第二运放(10),其一个输入端与所述功率模组的主回路(70)连接构成反馈支路,输出端分别连接每一所述第一运放(20)的一个输入端,用于维持所述功率模组的功率恒定。

2.根据权利要求1所述的自均衡功率模组,其特征在于,每一所述第一运放(20)的回路分别设置有第二熔断元件(30)。

3.根据权利要求1或2所述的自均衡功率模组,其特征在于,所述熔断元件为保险丝或熔断丝。

4.根据权利要求1所述的自均衡功率模组,其特征在于,控制信号采用差分信号。

5.一种功率模组控制方法,所述功率模组用于构造大功率电子负载,其特征在于,所述控制方法包括在构成所述功率模组的每一MOSFET(40)的回路设置第一熔断元件(50),使MOSFET故障后被相应的第一熔断元件旁路。

6.权利要求5所述的功率模组控制方法,其特征在于,所述控制方法还包括在构成所述功率模组的每一所述第一运放(20)的回路分别设置第二熔断元件(30)。

7.权利要求5所述的功率模组控制方法,其特征在于,所述控制方法还包括配置第二运放(10),第二运放采集所述功率模组的电信号,根据采集的电信号调整控制各MOSFET的第一运放(20),维持所述功率模组的功率恒定。

8.权利要求5所述的功率模组控制方法,其特征在于,所述控制方法还包括控制信号采用差分信号以提高抗干扰能力。

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