[发明专利]一种提升SSD读性能的方法及系统有效
申请号: | 201810052843.4 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108132760B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 张丽;彭鹏;姜黎 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/1009 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 410100 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 ssd 性能 方法 系统 | ||
1.一种提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述方法包括:
根据读命令对应的所读数据的长度和所处逻辑页,向FTL层发起读请求;
FTL层根据接收到的读请求向NFC层发起二次读请求;
NFC根据所述二次读请求中的读命令是否存在4K读标记,选择不同的模式来读Flash数据。
2.根据权利要求1所述的提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述根据读命令对应的所读数据的长度和所处逻辑页,向FTL层发起读请求,包括:
如果所读数据长度是4K或小于4K且所读数据范围都在同一逻辑页,则标记读命令为4K读,并向FTL层发起读请求;
如果所读数据长度是大于4K和/或所读数据范围不在同一逻辑页,则不作标记,并向FTL层发起读请求。
3.根据权利要求2所述的提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述FTL层根据接收到的读请求向NFC层发起二次读请求,包括:
所述FTL层获取所读数据所处逻辑页对应的逻辑页地址;
将所述逻辑页地址转换为Flash物理地址;
根据所述物理地址向所述NFC层发起读请求。
4.根据权利要求1所述的提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述NFC根据所述二次读请求中的读命令是否存在4K读标记,选择不同的模式来读Flash数据,包括:
如果所述读命令存在4K读标记,切换到普通单页读模式;
如果所述读命令不存在4K读标记,向Flash发送多页并发读请求。
5.根据权利要求4所述的提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述切换到普通单页读模式包括:
判断所述读命令是否满足快速读操作;
如果所述读命令满足快速读操作,则向Flash发送快读操作请求;
如果所述读命令不满足快速读操作,则向Flash发送单页读命令。
6.一种提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述系统包括:
第一读请求模块,用于根据读命令对应的所读数据的长度和所处逻辑页,向FTL层发起读请求;
第二读读请求模块,用于FTL层根据接收到的读请求向NFC层发起二次读请求;
读命令处理模块,用于NFC根据所述二次读请求中的读命令是否存在4K读标记,选择不同的模式来读Flash数据。
7.根据权利要求6所述的提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述第一读请求模块包括:
读命令处理单元,用于如果所读数据长度是4K或小于4K且所读数据范围都在同一逻辑页,则标记读命令为4K读;如果所读数据长度是大于4K和/或所读数据范围不在同一逻辑页,则不作标记;
第一读请求单元,用于向FTL层发起读请求。
8.根据权利要求7所述的提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述第二读读请求模块包括:
获取单元,用于所述FTL层获取所读数据所处逻辑页对应的逻辑页地址;
转换单元,用于将所述逻辑页地址转换为Flash物理地址;
第二读请求单元,用于根据所述物理地址向所述NFC层发起读请求。
9.根据权利要求6所述的提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述读命令处理模块包括:
判断单元,用于判断所述读命令是否存在4K读标记;
第一切换单元,用于如果所述读命令存在4K读标记,切换到普通单页读模式;
第二切换单元,用于如果所述读命令不存在4K读标记,向Flash发送多页并发读请求。
10.根据权利要求9所述的提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述第一切换单元包括:
判断子单元,用于判断所述读命令是否满足快速读操作;
第一读请求子单元,用于如果所述读命令满足快速读操作,则向Flash发送快读操作请求;
第二读请求子单元,用于如果所述读命令不满足快速读操作,则向Flash发送单页读请求。
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