[发明专利]一种提升SSD读性能的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201810052843.4 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN108132760B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 张丽;彭鹏;姜黎 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/1009
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 410100 湖南省长*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 提升 ssd 性能 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述方法包括:

根据读命令对应的所读数据的长度和所处逻辑页,向FTL层发起读请求;

FTL层根据接收到的读请求向NFC层发起二次读请求;

NFC根据所述二次读请求中的读命令是否存在4K读标记,选择不同的模式来读Flash数据。

2.根据权利要求1所述的提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述根据读命令对应的所读数据的长度和所处逻辑页,向FTL层发起读请求,包括:

如果所读数据长度是4K或小于4K且所读数据范围都在同一逻辑页,则标记读命令为4K读,并向FTL层发起读请求;

如果所读数据长度是大于4K和/或所读数据范围不在同一逻辑页,则不作标记,并向FTL层发起读请求。

3.根据权利要求2所述的提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述FTL层根据接收到的读请求向NFC层发起二次读请求,包括:

所述FTL层获取所读数据所处逻辑页对应的逻辑页地址;

将所述逻辑页地址转换为Flash物理地址;

根据所述物理地址向所述NFC层发起读请求。

4.根据权利要求1所述的提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述NFC根据所述二次读请求中的读命令是否存在4K读标记,选择不同的模式来读Flash数据,包括:

如果所述读命令存在4K读标记,切换到普通单页读模式;

如果所述读命令不存在4K读标记,向Flash发送多页并发读请求。

5.根据权利要求4所述的提升SSD读性能的方法,其特征在于,所述切换到普通单页读模式包括:

判断所述读命令是否满足快速读操作;

如果所述读命令满足快速读操作,则向Flash发送快读操作请求;

如果所述读命令不满足快速读操作,则向Flash发送单页读命令。

6.一种提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述系统包括:

第一读请求模块,用于根据读命令对应的所读数据的长度和所处逻辑页,向FTL层发起读请求;

第二读读请求模块,用于FTL层根据接收到的读请求向NFC层发起二次读请求;

读命令处理模块,用于NFC根据所述二次读请求中的读命令是否存在4K读标记,选择不同的模式来读Flash数据。

7.根据权利要求6所述的提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述第一读请求模块包括:

读命令处理单元,用于如果所读数据长度是4K或小于4K且所读数据范围都在同一逻辑页,则标记读命令为4K读;如果所读数据长度是大于4K和/或所读数据范围不在同一逻辑页,则不作标记;

第一读请求单元,用于向FTL层发起读请求。

8.根据权利要求7所述的提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述第二读读请求模块包括:

获取单元,用于所述FTL层获取所读数据所处逻辑页对应的逻辑页地址;

转换单元,用于将所述逻辑页地址转换为Flash物理地址;

第二读请求单元,用于根据所述物理地址向所述NFC层发起读请求。

9.根据权利要求6所述的提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述读命令处理模块包括:

判断单元,用于判断所述读命令是否存在4K读标记;

第一切换单元,用于如果所述读命令存在4K读标记,切换到普通单页读模式;

第二切换单元,用于如果所述读命令不存在4K读标记,向Flash发送多页并发读请求。

10.根据权利要求9所述的提升SSD读性能的系统,其特征在于,所述第一切换单元包括:

判断子单元,用于判断所述读命令是否满足快速读操作;

第一读请求子单元,用于如果所述读命令满足快速读操作,则向Flash发送快读操作请求;

第二读请求子单元,用于如果所述读命令不满足快速读操作,则向Flash发送单页读请求。

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