[发明专利]一种可调电压的MRAM读出电路

权利要求书

1.一种可调电压的MRAM读出电路，包括电流镜、参考单元组、控制限流单元和运算放大器OP Amp，其特征在于，

所述电流镜由等同的PMOS管组成，其中，每一路所述 PMOS管的电流均为I_read，电阻的差别造成V_out和V_out_n的差别，被输入到下一级的比较器产生输出；

所述参考单元组包括一组并联的参考单元，部分置于P状态，另外的置于AP状态；所述参考单元组一端接地另外一端连接所述控制限流单元，连接点为A；

所述控制限流单元由同样的钳位电压V_clamp控制的一组等同的NMOS管组成，所述钳位电压V_clamp用于控制所述NMOS管的电阻，保护存储单元和参考单元不被施加高电压影响稳定性；

所述运算放大器OP Amp的一个输入为参考电压V_read，另一个输入为所述A点的电位V_A，所述运算放大器OP Amp的输出连接到所述钳位电压V_clamp，通过反馈效应，控制加在所述参考单元上的电压稳定在V_read左右。

2.如权利要求1所述的可调电压的MRAM读出电路，其特征在于，所述读出电路还包括可配置的参考电压产生器，所述可配置的参考电压产生器输出所述参考电压V_read。

3.如权利要求2所述的可调电压的MRAM读出电路，其特征在于，所述可配置的参考电压产生器通过所述MRAM的寄存器配置对所述V_read进行调整。

4.如权利要求2所述的可调电压的MRAM读出电路，其特征在于，所述可配置的参考电压产生器输入所述MRAM芯片内的温度传感器的温度，根据所述温度调整所述参考电压V_read。