[发明专利]一种高速的MRAM读出电路有效
| 申请号： | 201810053718.5 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108182956B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 mram 读出 电路 | ||
1.一种高速的MRAM读出电路，包括一排多个等同的MOS管、参考单元组合、比较器和两个运算放大器OP Amp，其特征在于，
每一个存储单元与所述多个等同的MOS管中的一个MOS管Pa串联；串联连接点连接到一个所述运算放大器OP Amp的一个输入，所述运算放大器OP Amp的另一个输入为读电压V_read，所述运算放大器OP Amp的输出与所述MOS管Pa的栅极连接，通过反馈效应，调整所述MOS管Pa的栅极电压；
所述参考单元组合由N个参考单元并联；所述一排多个等同的MOS管中的N个等同的MOS管Pbi并联，i＝1,2,…,N；所述N个参考单元与所述N个等同的MOS管Pbi一一对应串联；串联连接点连接到另一个所述运算放大器OP Amp的一个输入，所述运算放大器OP Amp的另一输入为读电压V_read，所述运算放大器OP Amp的输出与所述N个等同的MOS管Pbi的栅极连接，通过反馈效应，调整所述MOS管Pbi的栅极电压；
所述多个等同的MOS管和所述参考单元两端的电压差为V_read_supply；
所述比较器通过比较所述两个运算放大器OP Amp输出的栅极电压，输出结果。
2.如权利要求1所述的高速的MRAM读出电路，其特征在于，初始化时所述多个等同的MOS管处于断开状态，通过所述运算放大器OP Amp控制打开。
3.如权利要求1所述的高速的MRAM读出电路，其特征在于，与所述参考单元组合的N个参考单元串联的是一个由N倍与用于所述存储单元相同的MOS管形成的组合管，所述运算放大器OP Amp与所述组合管连接。
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