[发明专利]数据储存装置以及其操作方法

说明书

本发明涉及多通道非挥发式存储器操作技术，提供数据储存装置以及其操作方法。一非挥发式存储器包括多个物理芯片致动空间，且各个上述物理芯片致动空间包括多个晶圆方块。一控制单元以多通道方式操作该非挥发式存储器，使上述物理芯片致动空间中，经一目标通道操作的至少一目标物理芯片致动空间的晶圆方块得以一起操作。该控制单元包括扫描该非挥发式存储器，获得上述目标物理芯片致动空间的晶圆方块的存在状态，据以使该目标通道的多个逻辑芯片致动信号映射上述目标物理芯片致动空间的晶圆方块。

技术领域

本发明有关于数据储存装置，特别有关于数据储存装置的多通道存取技术。

背景技术

数据储存装置所采用的非挥发性存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flashmemory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。

非挥发式存储器可以多通道(multiple channels)方式操作。一通道可允许其中多个空间的同步操作。例如，一通道内允许最多N个空间的交错式操作(interleaved way)，提升该通道内N个空间的操作效率。以上交错式操作的空间通常以逻辑单元编号(logicunit number，简称LUN)划分，或各视为一晶圆方块(die)。一通道可允许最多N个晶圆方块(dies)的交错式操作。

图1图解了一通道的空间阶层划分。所示通道具有两块物理芯片致动空间102与104，分别由物理芯片致动信号PhyCE#0以及物理芯片致动信号PhyCE#1致动。物理芯片致动空间102与104可各为一芯片。物理芯片致动空间102包括四个循序编址的晶圆方块Die#0(对应区块编号0-1023)、Die#1(对应区块编号1024-2047)、Die#2(对应区块编号2048-3071)、以及Die#3(对应区块编号3072-4095)，并分别指定为逻辑单元编号#0～3。类似地，物理芯片致动空间104也包括四个循序编址的晶圆方块Die#0…Die#3，并分别指定为逻辑单元编号#4～7。

然而，由于物理芯片致动空间102/104本身的缺陷或设定，使得已知物理芯片致动空间102/104的控制方法变的复杂或不可行。图2图解了其中一种例子。物理芯片致动空间202仅存在对应区块编号1024-2047的晶圆方块Die#1、以及对应区块编号2048-3071的晶圆方块Die#2可正常运作。物理芯片致动空间204仅存在对应区块编号0-1023的晶圆方块Die#0、以及对应区块编号2048-3071的晶圆方块Die#2可正常运作。如此不规则的物理空间架构使得已知的非挥发式存储器控制方法变的不可行，且无法正常运作的物理芯片致动空间202的晶圆方块Die#0更会导致已知的非挥发式存储器控制方法误判成整个物理芯片致动空间202无法正常运作，造成数据储存装置制造上的困扰。

发明内容

本发明揭示一种数据储存装置的多通道存取技术，包括各通道的逻辑-物理空间映射配置。

根据本发明一种实施方式提供的一数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制单元。该非挥发式存储器包括多个物理芯片致动空间，且各个上述物理芯片致动空间包括多个晶圆方块。该控制单元以多通道方式操作该非挥发式存储器，使上述物理芯片致动空间中，经一目标通道操作的至少一目标物理芯片致动空间的晶圆方块得以一起操作。该控制单元包括扫描该非挥发式存储器，获得上述目标物理芯片致动空间的晶圆方块的存在状态，据以使该目标通道的多个逻辑芯片致动信号映射上述目标物理芯片致动空间的晶圆方块。