[发明专利]衬底结构及其制作方法有效
申请号: | 201810054092.X | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108336093B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 饶潞;黄金雷;梁超;都秉龙;刘如胜 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王乐 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种衬底结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供支撑基底;
在所述支撑基底上形成曝光后的感光材料层,所述曝光后的感光材料层具有第一结合力区和第二结合力区,其中,所述第一结合力区与所述支撑基底的结合力小于所述第二结合力区与所述支撑基底的结合力;
以及在所述曝光后的感光材料层上形成柔性基底,将所述第一结合力区上的感光材料与柔性基底去除,得到图案化的感光材料层以及图案化的柔性基底层,以得到衬底结构;
所述感光材料层的材质为正性感光材料,曝光区域形成所述第一结合力区,非曝光区域形成所述第二结合力区;
在所述支撑基底上形成曝光后的感光材料层的步骤为:
在所述支撑基底上涂布感光材料的前驱体溶液,对所述感光材料的前驱体溶液进行曝光,然后固化之后得到曝光后的感光材料层。
2.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,所述感光材料层的厚度为100nm~10μm。
3.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,所述正性感光材料选自硅烷偶联剂、硅氮烷、聚甲基丙烯酸甲酯和聚丁二酸丁二醇酯中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,所述正性感光材料为正性硅烷偶联剂,所述正性硅烷偶联剂的化学结构式如下:
其中,R’为感光基团,R1为甲基或者乙基,R2为甲基或者乙基,R3为甲基或者乙基。
5.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,采用机械剥离的方法将第一结合力区上的感光材料与柔性基底去除。
6.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,所述图案化的柔性基底的材质为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
7.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,所述支撑基底为玻璃基底。
8.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,在所述曝光后的感光材料层上形成柔性基底的操作为:在所述曝光后的感光材料层上涂布用于形成柔性基底的前驱体溶液,所述前驱体溶液固化之后形成柔性基底。
9.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,所述图案化的感光材料层以及所述图案化的柔性基底层的图案均为六角形。
10.根据权利要求1所述的衬底结构的制作方法,其特征在于,所述图案化的感光材料层以及所述图案化的柔性基底层的图案均为矩形或者圆形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的