[发明专利]一种使用参考电压的MRAM读出电路

权利要求书

1.一种使用参考电压的MRAM读出电路，包括参考电压产生器、参考电阻组合和比较器，其特征在于，

所述参考电压产生器用于对每一个MRAM芯片进行产线测试时设定参考电压，输出参考电压，所述参考电压产生器的输出点设为B点；

所述参考电阻组合由多个相同的参考电阻组成，每一个所述参考电阻的一端与一个存储单元x(x＝1、2、…)串联，串联连接点为Ax(x＝1、2、…)；

所述存储单元x(x＝1、2、…)的另一端连接基准电压V_b，在进行读操作时，所述参考电阻的另一端在所述基准电压V_b的基础上增加一个电压V_read；

所述比较器位于所述Ax和B两点之间，通过比较所述两点之间的电压差来决定所述存储单元x(x＝1、2、…)是在P状态还是AP状态。

2.如权利要求1所述的使用参考电压的MRAM读出电路，其特征在于，所述参考电压产生器是可配置的，所述可配置参考电压产生器根据所述MRAM芯片内温度传感器产生的温度变化调整所述参考电压。

3.如权利要求1所述的使用参考电压的MRAM读出电路，其特征在于，所述参考电压产生器是可配置的，所述可配置参考电压产生器输入所述MRAM存储单元的阵列行地址，根据所述行地址调整所述参考电压。

4.如权利要求1-3任一所述的使用参考电压的MRAM读出电路，其特征在于，所述V_read的取值范围为(-250mV，250mV)。

5.一种使用参考电压的MRAM读出电路，包括参考电压产生器、参考电阻组合和比较器，其特征在于，每一个所述存储单元配备一个所述参考电压产生器，对每一条读出通道单独进行调整。