[发明专利]一种双输出低温漂基准电压源

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双输出低温漂基准电压源。

背景技术

电压基准源是模拟集成电路和数模混合电路不可缺少的重要单元电路之一，其通过建立一个与电源和工艺无关，并且具有确定温度特性的直流电压，来为其他电路提供一个参考电压。

随着CMOS工艺的不断进步以及SOC系统的发展需求，基准电压源需要满足多输出、低温漂和低功耗的要求，然而，传统的带隙基准电压源实现多个输出时，需要多个带隙基准源电路，这样大大增加了功耗，要实现低功耗，电路结构复杂，占用芯片面积较大，而且要使用具有双极性的三极管或者二极管，与标准的CMOS工艺不兼容。

发明内容

本发明所要解决的是传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题，提供一种双输出低温漂基准电压源。

为解决上述问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种双输出低温漂基准电压源，包括基准电压源本体，基准电压源本体由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成；其中启动电路的输出端接电流产生电路的输入端，电流产生电路的输出端接双输出基准电压产生电路的输入端；所述双输出基准电压产生电路由MOS管M11-M17和电容C1-C3组成；MOS管M11和MOS管M12的源极与电源VDD连接；MOS管M11的栅极与MOS管M12的栅极连接后，作为双输出基准电压产生电路的输入端；MOS管M13的漏极与MOS管M11的漏极连接；MOS管M12的漏极与MOS管M14的漏极连接；MOS管M13的栅极与漏极共接后与MOS管M14栅极连接；MOS管M13的源极与地GND连接；MOS管M14的源极与MOS管M15的漏极连接；MOS管M15的栅极与漏极共接后，经过电容C3与地GND连接；MOS管M15的源极与MOS管M16的漏极连接；MOS管M16栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第一输出端，输出基准电压V_ref1；电容C2并联于MOS管M17栅极与地GND之间；MOS管M16的源极与MOS管M17的漏极连接；MOS管M17的栅极与漏极共接后作为整个基准电压源本体的第二输出端，输出基准电压V_ref2；电容C1并联于MOS管M16栅极与地GND之间；MOS管M17的源极与地GND连接。

上述方案中，双输出基准电压产生电路的MOS管M13是3.3V的MOS管，MOS管M14-M17是1.8V的MOS管。

上述方案中，双输出基准电压产生电路的电容C1-C3为普通电容。

所述启动电路由MOS管M1-M4和电容C0组成；MOS管M1和MOS管M2的源极与电源VDD连接；MOS管M3的源极与地GND连接；MOS管M1的栅极与漏极共接后经电容C0与地GND相接；MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极共接后与MOS管M1的漏极连接；MOS管M2的漏极和MOS管M3的漏极共接后与MOS管M4的源极连接；MOS管M4的栅极与MOS管M3的栅极连接；MOS管M4的漏极作为启动电路的输出端。

上述方案中，启动电路的电容C0为普通电容。

所述电流产生电路由MOS管M5-M10和电阻R0组成；MOS管M5和MOS管M6的源极与电源VDD连接；MOS管M9的源极与地GND连接；MOS管M10的源极经电阻R0与地GND连接；MOS管M5的漏极与MOS管M7的漏极连接；MOS管M7的源极与MOS管M9的漏极连接；MOS管M6的漏极与MOS管M8的漏极连接；MOS管M8的源极与MOS管M10的漏极连接；MOS管M6的栅极与漏极共接后与MOS管M5的栅极连接；MOS管M7的栅极与漏极共接后与MOS管M8的栅极连接；MOS管M9的栅极与漏极共接后与MOS管M10的栅极连接；MOS管M5的漏极作为电流产生电路的输入端，MOS管M6的漏极作为电流产生电路的输出端。

上述方案中，电阻R0为高掺杂多晶硅电阻。

与现有技术相比，本发明具有如下特点：

1、由一个3.3V的MOS管及四个1.8V的MOS管及MOS管栅漏相接的输出方式产生双输出的低温漂的基准电压，并大大降低功耗；

2、启动电路及电流产生电路电路较小，大大降低功耗。

附图说明

图1为一种双输出低温漂基准电压源的原理图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。