[发明专利]面蒸镀源及其制作方法、蒸镀方法、蒸镀装置有效

专利信息
申请号: 201810054822.6 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN110055498B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 王路 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/04;H01L51/56
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 面蒸镀源 及其 制作方法 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种面蒸镀源,用于蒸镀待蒸镀材料,使其能够经过蒸镀掩膜版的开口在器件基板上形成薄膜,其特征在于,包括:

衬底,所述衬底为透明的;

隔离墙结构,所述隔离墙结构固定设置在所述衬底上;

其中,所述隔离墙结构在所述衬底上形成多个相互分隔的第一凹槽;所述隔离墙结构的高度及所述第一凹槽的底面的特征尺寸为小于等于10毫米大于等于0.1微米的尺寸范围中的任一数值;所述第一凹槽用于承载待蒸镀材料;所述第一凹槽被配置为,蒸镀时,所述蒸镀掩膜版的一个开口在所述衬底上的投影覆盖N个所述第一凹槽在衬底上的投影,其中,N为正整数;

金属层,所述金属层设置在所述第一凹槽的底部;所述金属层的上表面到所述金属层的下表面的最大距离小于等于1微米;其中,所述金属层的上表面为所述金属层的远离所述第一凹槽的底面的表面;所述金属层的下表面为所述金属层的与所述第一凹槽的底面相接触的表面。

2.根据权利要求1所述的面蒸镀源,其特征在于,至少部分所述第一凹槽在衬底上的投影与所述蒸镀掩膜版的开口在所述衬底上的投影完全重合。

3.根据权利要求1所述的面蒸镀源,其特征在于,所述隔离墙结构的高度大于或等于10微米。

4.根据权利要求1所述的面蒸镀源,其特征在于,所述面蒸镀源包括蒸镀区和膜厚测试区;

所述蒸镀区用于蒸镀待蒸镀材料至器件基板;

所述膜厚测试区用于形成检测薄膜厚度所用的薄膜。

5.根据权利要求1所述的面蒸镀源,其特征在于,所述金属层的上表面形成有表面微结构;

所述金属层与所述表面微结构为一体结构。

6.根据权利要求5所述的面蒸镀源,其特征在于,所述表面微结构为栅格结构;

所述栅格结构包括在所述金属层的上表面形成的多个第二凹槽;

所述第二凹槽的深度为0.5-0.6微米,所述第二凹槽的底面到所述金属层的下表面的距离为0.4-0.5微米。

7.根据权利要求1所述的面蒸镀源,其特征在于,所述衬底与所述隔离墙结构为一体结构。

8.一种面蒸镀源的制作方法,所述面蒸镀源用于蒸镀待蒸镀材料,使其能够经过蒸镀掩膜版的开口在器件基板上形成薄膜,其特征在于,包括:

提供一个衬底,所述衬底为透明的;

在所述衬底上形成隔离墙结构;

其中,所述隔离墙结构在所述衬底上形成多个相互分隔的第一凹槽;所述隔离墙结构的高度及所述第一凹槽的底面的特征尺寸为小于等于10毫米大于等于0.1微米的尺寸范围中的任一数值;所述第一凹槽用于承载待蒸镀材料;所述第一凹槽被配置为,蒸镀时,所述蒸镀掩膜版的一个开口在所述衬底上的投影覆盖N个所述第一凹槽在衬底上的投影,其中,N为正整数;

在所述第一凹槽的底部形成金属层;所述金属层的上表面到所述金属层的下表面的最大距离小于等于1微米;其中,所述金属层的上表面为所述金属层的远离所述第一凹槽的底面的表面;所述金属层的下表面为所述金属层的与所述第一凹槽的底面相接触的表面。

9.根据权利要求8所述的一种面蒸镀源的制作方法,其特征在于,还包括:

刻蚀所述金属层的上表面形成表面微结构;

其中,所述金属层的上表面为所述金属层的远离所述第一凹槽的底面的表面。

10.根据权利要求9所述的一种面蒸镀源的制作方法,其特征在于,刻蚀所述金属层的上表面的方法为干法刻蚀。

11.根据权利要求9所述的一种面蒸镀源的制作方法,其特征在于:

在所述衬底上形成所述隔离墙结构的方法为刻蚀所述衬底形成所述隔离墙结构;

或者,在所述衬底上形成所述隔离墙结构的方法为在所述衬底上沉积隔离墙结构材料,刻蚀所述隔离墙结构材料形成所述隔离墙结构。

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