[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管、显示模组在审
| 申请号： | 201810055650.4 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108511343A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 涂义品;黄秀颀 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/34;H01L29/786;H01L29/06;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 刘萍萍 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体层 多晶硅层 显示模组 绝缘层 电子迁移率 栅极层 功耗 漏极 源极 制作 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极，与所述半导体层接触的多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为铟镓锌氧化物或氮化镓。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅层为本征多晶硅层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述绝缘层形成于所述栅极层上；
所述多晶硅层形成于所述绝缘层上；
所述半导体层形成于所述多晶硅层上；
所述源极形成于所述多晶硅层的一侧，并且与所述半导体层接触；
所述漏极形成于所述多晶硅层的另一侧，并且与所述半导体层接触。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层与多晶硅层形成异质结。
6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供一栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极及与所述半导体层接触的多晶硅层；
根据所述栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极及多晶硅层制作薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体层为铟镓锌氧化物或氮化镓。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层为本征多晶硅层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极及多晶硅层制作薄膜晶体管，包括：
形成所述绝缘层于所述栅极层上；
形成所述多晶硅层于所述绝缘层上；
形成所述半导体层于所述多晶硅层上；
形成所述源极与所述漏极于所述半导体层与所述多晶硅层上。
10.一种显示模组，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
