[发明专利]一种图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法

权利要求书

1.一种图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

制备一基底，该基底具有一基底表面且该基底表面包括一第一图案化表面和一第二图案化表面，其中，形成该第一图案化表面的材料为氧化物或氮化物，形成该第二图案化表面的材料为云母；

在所述基底表面形成一单层的二维过渡金属硫属化合物纳米材料，且该二维过渡金属硫属化合物纳米材料将该第一图案化表面和第二图案化表面覆盖；以及

将该基底和二维过渡金属硫属化合物纳米材料在含氧气氛中进行退火，且通过控制退火温度使得只有该第二图案化表面的二维过渡金属硫属化合物纳米材料被氧化去除，而该第一图案化表面的二维过渡金属硫属化合物纳米材料保留在该第一图案化表面形成一图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料。

2.如权利要求1所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述基底的制备方法包括以下子步骤：

提供一衬底，该衬底具有一第一表面，且该衬底的材料为氧化物或氮化物；在该第一表面形成一图案化的云母层从而使得该第一表面的一部分被覆盖而另一部分暴露，第一表面上该暴露的部分形成该第一图案化表面，且该图案化的云母层的表面形成该第二图案化表面。

3.如权利要求2所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述衬底为具有氧化硅层的硅衬底、蓝宝石衬底、石英衬底或玻璃衬底。

4.如权利要求1所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述基底的制备方法包括以下子步骤：

提供一云母衬底，该云母衬底具有一第二表面；

在该第二表面形成一图案化的氧化物或氮化物层从而使得该第二表面的一部分被覆盖而另一部分暴露，第二表面上该暴露的部分形成该第二图案化表面，且该图案化的氧化物或氮化物层的表面形成该第一图案化表面。

5.如权利要求1所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述氧化物为金属氧化物或无机非金属氧化物；所述氮化物为金属氮化物或无机非金属氮化物。

6.如权利要求5所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为三氧化二铝、二氧化钛或氧化镁；所述无机非金属氧化物为二氧化硅或氧化硼；所述金属氮化物为氮化钛、氮化铝、氮化镓或氮化镁；所述无机非金属氮化物为氮化硅或氮化硼。

7.如权利要求1所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述二维过渡金属硫属化合物纳米材料为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨、二碲化钼或二碲化钨。

8.如权利要求1所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述二维过渡金属硫属化合物纳米材料为二硫化钼，形成所述第一图案化表面的材料为二氧化硅，所述含氧气氛为空气且压强为常压，而且所述退火温度为250℃～270℃。

9.如权利要求1所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述二维过渡金属硫属化合物纳米材料为二硫化钼，形成所述第一图案化表面的材料为三氧化二铝，所述含氧气氛为空气且压强为常压，而且所述退火温度为250℃～290℃。

10.如权利要求1所述的图案化的二维过渡金属硫属化合物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述二维过渡金属硫属化合物纳米材料为二硫化钼，形成所述第一图案化表面的材料为二氧化硅，所述含氧气氛为空气且压强为10KPa，而且所述退火温度为270℃～300℃。