[发明专利]一种层状硒化镉-单胺杂化物纳米带的可控合成方法有效
| 申请号： | 201810056278.9 | 申请日： | 2018-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108192618B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 魏朔;郝秀芳;李静;崔晓艳 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;C01B19/00 |
| 代理公司： | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人： | 张洪年 |
| 地址： | 100875 北京市海淀区新街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 层状 硒化镉 单胺杂化物 纳米 可控 合成 方法 | ||
1.一种层状硒化镉-单胺杂化物纳米带的可控合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
将氢氧化镉、硒粉按照摩尔比1:1-1:2，加入到聚四氟乙烯高压反应釜中，混合均匀后加入有机单胺，使反应釜的体积填充度达到60%-80%，置于70℃下密封反应9-10d，停止加热，自然冷却至室温；产物滤去上清液，向剩余固体中加入三正辛基膦以除去未反应的硒粉，再以正己烷与乙醇的混合溶剂离心洗涤，并在60℃-160℃的真空干燥箱中干燥得到单层硒化镉-单胺杂化物纳米带。
2.根据权利要求1所述的层状硒化镉-单胺杂化物纳米带的可控合成方法，其特征在于，所述有机单胺为正丁胺、正己胺或正辛胺中的任意一种。
3.一种层状硒化镉-单胺杂化物纳米带的可控合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
将氢氧化镉、硒粉按照摩尔比1:1-1:2，加入到聚四氟乙烯高压反应釜中，混合均匀后加入有机单胺，使反应釜的体积填充度达到60%-80%，置于120℃下密封反应9-16d，停止加热，自然冷却至室温；产物滤去上清液，向剩余固体中加入三正辛基膦以除去未反应的硒粉，再以正己烷与乙醇的混合溶剂离心洗涤，并在60℃-160℃的真空干燥箱中干燥得到四层硒化镉-单胺杂化物纳米带。
4.根据权利要求3所述的层状硒化镉-单胺杂化物纳米带的可控合成方法，其特征在于，所述有机单胺为正丁胺、正己胺或正辛胺中的任意一种。
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