[发明专利]锁紧圈及半导体的制作方法在审
| 申请号： | 201810056768.9 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108231574A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;王学泽;杨其垚 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 金相允 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锁紧圈 晶圆 半导体 机台平台 溅射靶材 接触空间 溅射 半导体技术领域 生产过程 使用寿命 原子沉积 制造成本 掉落 压紧 沉积 制作 应用 生产 | ||
1.一种锁紧圈，其特征在于，应用于半导体，所述锁紧圈设置有沟槽，当所述半导体处于PVD镀膜生产过程中，生产所述半导体的机台平台上安装有晶圆，所述晶圆上设置有所述锁紧圈，所述沟槽用于增加所述锁紧圈与所述晶圆之间的接触空间，所述锁紧圈用于保护所述机台平台及压紧所述晶圆，当溅射靶材溅射过程中，一部分原子掉落并沉积于所述沟槽内，以提高所述锁紧圈的使用寿命，降低制造成本。
2.根据权利要求1所述的锁紧圈，其特征在于，所述沟槽为环形沟槽，所述锁紧圈包括圆环柱形本体，所述圆环柱形本体的内壁延所述圆环柱形本体的圆周方向上设置有所述环形沟槽。
3.根据权利要求2所述的锁紧圈，其特征在于，所述环形沟槽的外圆与内圆之间的宽度为0.1cm。
4.根据权利要求2所述的锁紧圈，其特征在于，所述圆环柱形本体从内向外依次设置有第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽，所述环形沟槽的外圆直径小于所述第一环形凹槽的外圆直径，所述第一环形凹槽的外圆直径小于所述第二环形凹槽的外圆直径，所述第二环形凹槽的外圆直径小于所述第三环形凹槽的外圆直径。
5.根据权利要求4所述的锁紧圈，其特征在于，所述环形沟槽的外圆与内圆之间的宽度小于所述第一环形凹槽的外圆与内圆之间的宽度，所述第一环形凹槽的外圆与内圆之间的宽度小于所述第二环形凹槽的外圆与内圆之间的宽度，所述第二环形凹槽的外圆与内圆之间的宽度小于所述第三环形凹槽的外圆与内圆之间的宽度。
6.根据权利要求4所述的锁紧圈，其特征在于，所述环形沟槽的深度小于所述第一环形凹槽的深度。
7.根据权利要求4所述的锁紧圈，其特征在于，所述第一环形凹槽的深度、所述第二环形凹槽的深度与所述第三环形凹槽的深度均相等。
8.根据权利要求2所述的锁紧圈，其特征在于，所述环形沟槽延所述圆环柱形本体的圆周方向延伸有至少一个延伸部。
9.根据权利要求8所述的锁紧圈，其特征在于，所述延伸部为梯形。
10.一种半导体的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
当所述半导体处于PVD镀膜生产过程中，在生产所述半导体的机台平台上安装晶圆；
在所述晶圆上设置锁紧圈，所述锁紧圈用于保护所述机台平台及压紧所述晶圆，所述锁紧圈设置有沟槽，所述沟槽用于增加所述锁紧圈与所述晶圆之间的接触空间，当溅射靶材溅射过程中，一部分原子掉落并沉积于所述沟槽内，以便于制作完成所述半导体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
