[发明专利]功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法

权利要求书

1.功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，包括AlN衬底、Cu、Ti、Al膜和Cu箔，所述Cu、Ti、Al膜涂敷在AlN表面，所述Cu箔敷接于Cu、Ti、Al膜之上。

2.如权利要求1所述功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，所述Cu、Ti、Al膜是将微米级(60%~80%)Cu+(1%~10%)Ti+(10%~30%)Al金属粉末与有机载体均匀混合得到不含玻璃相的铜钛铝浆料，通过丝网印刷方式涂敷于AlN陶瓷表面经气氛烧结而成，所述有机载体为松油醇、乙基纤维素、卵磷脂以一定比例均匀混合制备，所述铜钛铝浆料比例为60%~80%金属粉末功能相和20%~40%有机载体。

3.如权利要求2所述功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，所述气氛烧结是将经双面丝网印刷Cu、Ti、Al膜的AlN陶瓷片，预先在马弗炉空气气氛烧结240℃~350℃保温1~3h，然后在空气气氛管式炉中以通入氮气，气体流速为100~300sccm，通气时间1~3h，同时以3℃/min升温速率升温至1050℃~1070℃保温0.5h~2h，而后控制降温速率3℃/min降温至500℃后自然降温获得Cu、Ti、Al膜，所述Cu、Ti、Al膜厚度为20~30μm。

4.如权利要求1所述功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板，其特征在于，所述敷接Cu箔是在氮气气氛纯度≥99.99%的管式炉中以3℃/min的升温速率升温至1070℃~1080℃保温10~60min，控制降温速率3℃/min降温至500℃后自然降温，所述Cu箔厚度300~400μm。