[发明专利]半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体本体，所述半导体本体具有第一面和第二面；以及

裂纹传感器，所述裂纹传感器具有肖特基势垒二极管结构；其中，所述肖特基势垒二极管结构至少配置在所述半导体本体的所述第一面上，并且配置为检测所述半导体本体的所述第一面上的裂纹。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基势垒二极管结构还配置在所述半导体本体中，并且配置为检测所述半导体本体中的裂纹。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基势垒二极管结构延伸到所述半导体本体中，且所述裂纹传感器与所述半导体本体的所述第二面之间的距离小于所述半导体本体的厚度；

所述裂纹传感器部分地设置于在所述半导体本体内形成的沟槽中。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述裂纹传感器配置为当所述肖特基势垒二极管结构的电流和/或电阻与规定值之间的差值大于预定差值时，确定在所述半导体本体上和/或在所述半导体本体内存在裂纹。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

裂纹传感器电极板和/或电介质层，所述裂纹传感器电极板和/或所述电介质层配置在所述半导体本体的所述第一面上。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

具有pn结的裂纹传感器，其配置在所述半导体本体内；

所述具有pn结的裂纹传感器配置在具有所述肖特基势垒二极管结构的裂纹传感器的内侧。

7.一种检测半导体器件的裂纹的方法；其特征在于，所述半导体器件包括半导体本体，所述半导体本体具有第一面和第二面；所述半导体器件还包括裂纹传感器，所述裂纹传感器具有肖特基势垒二极管结构，所述肖特基势垒二极管结构至少配置在所述半导体本体的所述第一面上；所述方法包括：

指定所述裂纹传感器的特征变量的第一值；

在与指定所述第一值的时间不同的时间确定所述裂纹传感器的所述特征变量的第二值；以及

当所述第一值与所述第二值之间的差值大于预定差值时确定所述半导体本体存在裂纹。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述特征变量是所述肖特基势垒二极管结构的电流和/或电阻。

9.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

设置半导体本体，所述半导体本体具有第一面和第二面；以及

设置裂纹传感器，所述裂纹传感器具有肖特基势垒二极管结构；其中，所述肖特基势垒二极管结构至少配置在所述半导体本体的所述第一面上，并且配置为检测所述半导体本体的所述第一面上的裂纹。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述肖特基势垒二极管结构还配置在所述半导体本体中，并且配置为检测所述半导体本体中的裂纹。