[发明专利]显示单元及其制造方法和电子设备有效
申请号: | 201810058465.0 | 申请日: | 2014-01-21 |
公开(公告)号: | CN108109963B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 永泽耕一;藤冈弘文;佐藤友基;西川智孝 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 单元 及其 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种显示单元,包括显示部和端子部,
所述显示部包括:
塑料基板;
半导体层,包括布置在所述塑料基板上的配线层;以及
显示层,包括布置在所述半导体层上的像素电极;
所述端子部被配置为将所述半导体层电连接至外部电路;
所述端子部包括:
所述塑料基板;
布置在所述塑料基板上的第一导电层;
其中,所述配线层包含第一材料,
其中,所述第一导电层包含第二材料,
其中,所述第一材料和所述第二材料是相同的材料,并且
其中,所述像素电极包含第三材料,
其中,所述端子部包括所述第一导电层和第二导电层的层压结构,所述第二导电层包括构成所述像素电极的材料,
所述像素电极和所述端子部中的所述第二导电层中的每个都具有包括透明电极膜和反射电极膜的层压结构,以及
其中,在加工所述像素电极时,所述端子部的所述第二导电层中的透明电极膜被留下并且在蚀刻所述反射电极膜时用作保护膜,并且在图案化所述像素电极之后,蚀刻所述第二导电层中的所述透明电极膜,使得所述端子部的所述第二导电层中的所述透明电极膜包括开口。
2.根据权利要求1所述的显示单元,所述第一材料和所述第二材料都是Al。
3.根据权利要求1所述的显示单元,所述第一导电层形成在与形成所述配线层的步骤相同的步骤中。
4.根据权利要求1所述的显示单元,所述配线层直接连接至所述像素电极。
5.根据权利要求1所述的显示单元,所述第三材料是透明导电材料。
6.根据权利要求1所述的显示单元,所述像素电极进一步包含第四材料,并且所述第四材料是银或银合金。
7.根据权利要求1所述的显示单元,所述显示层进一步包括布置在所述像素电极上的第一绝缘层,并且所述端子部进一步包括布置在所述第一导电层上的第二绝缘层。
8.根据权利要求7所述的显示单元,所述第一绝缘层包含第四材料,并且所述第二绝缘层包含第五材料,并且所述第四材料和所述第五材料相同。
9.根据权利要求7所述的显示单元,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层是相同的层。
10.一种显示单元,包括显示部和端子部,
所述显示部包括:
塑料基板;
半导体层,包括布置在所述塑料基板上的配线层;以及
显示层,包括布置在所述半导体层上的像素电极;
所述端子部被配置为将所述半导体层电连接至外部电路;
所述端子部包括:
所述塑料基板;
布置在所述塑料基板上的第一导电层;
其中,所述配线层和所述第一导电层具有层叠结构,所述层叠结构至少包括第一层和第二层,并且
其中,所述像素电极具有包括第三层和第四层的层叠结构,
其中,所述端子部具有所述第一导电层和第二导电层的层压结构,所述第二导电层包括构成所述像素电极的材料,
所述像素电极和所述端子部中的所述第二导电层中的每个都具有包括透明电极膜和反射电极膜的层压结构,以及
其中,在加工所述像素电极时,所述端子部的所述第二导电层中的透明电极膜被留下并且在蚀刻所述反射电极膜时用作保护膜,并且在图案化所述像素电极之后,蚀刻所述第二导电层中的所述透明电极膜,使得所述端子部的所述第二导电层中的所述透明电极膜包括开口。
11.根据权利要求10所述的显示单元,所述第一层包含Ti,所述第二层包含Al。
12.根据权利要求10所述的显示单元,所述第三层包含ITO,所述第四层包含银或银合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造