[发明专利]一种阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201810059826.3 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN108257980B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 孙乐;山岳;潘正文;张伟;唐乌力吉白尔;石天雷 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06F3/041 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
本发明提供一种阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,解决了现有技术中因两种类型的信号线同层设置导致显示面板的透过率降低的问题。所述阵列基板,包括在衬底上依次设置且通过绝缘层间隔开的第一信号线层、第二信号线层和透明导电层,所述第一信号线层包括多条第一信号线,所述第二信号线层包括多条第二信号线,所述透明导电层包含多个透明电极;所述第一信号线与位于其上方的所述第二信号线平行、且位于所述第一信号线正上方的第二信号线在所述衬底上的正投影与所述第一信号线在所述衬底上的正投影交叠;所述第一信号线在其宽度方向上设置有凸起;所述透明电极通过所述绝缘层上的过孔与位于其下方的所述凸起电连接。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,高开口率的显示产品备受人们的喜爱。现有技术中的显示产品,由于信号线种类较多,不可避免的会出现在某些亚像素区需要将两种类型的信号线同层设置的情况,一般这两种类型的信号线相互平行。
示例的,现有技术中的一种FIC(Full in cell,内嵌式触控)产品,其触控(Touch)信号是由与数据线同层设置的触控信号线来传输的,触控信号线与触控电极电连接。如图1所示的阵列基板上的数据线10和触控信号线20同层设置,为了避免信号发生串扰,数据线10和触控信号线20不能交叠。
这样一来,两条信号线以及两条信号线之间的间隙三者所占的面积大于一条信号线所占的面积,因此,产品的透过率会受到影响。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板、显示装置,解决了现有技术中因两种类型的信号线同层设置导致显示面板的透过率降低的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板,包括在衬底上依次设置且通过绝缘层间隔开的第一信号线层、第二信号线层和透明导电层,所述第一信号线层包括多条第一信号线,所述第二信号线层包括多条第二信号线,所述透明导电层包含多个透明电极;所述第一信号线与位于其上方的所述第二信号线平行、且位于所述第一信号线正上方的第二信号线在所述衬底上的正投影与所述第一信号线在所述衬底上的正投影交叠;所述第一信号线在其宽度方向上设置有凸起;所述透明电极通过所述绝缘层上的过孔与位于其下方的所述凸起电连接。
可选的,所述第一信号线层还包括遮光图案。
可选的,位于所述第一信号线正上方的所述第二信号线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一信号线在所述衬底上的正投影。
可选的,所述阵列基板还包括与所述第二信号线相交的第三信号线;位于同一亚像素区域中的薄膜晶体管远离所述第三信号线的边缘到所述第三信号线的距离大于等于所述凸起远离所述第三信号线的边缘到所述第三信号线的距离。
可选的,所述凸起设置在所述第一信号线的端部。
可选的,所述第二信号线为栅线、数据线、公共电极线中任意一种。
可选的,所述第一信号线的材料包括钼元素。
可选的,所述阵列基板包括绑定区,所述绑定区设置有与所述第一信号线电连接的引线以及设置在所述引线远离所述衬底一侧的导电辅助图案;所述导电辅助图案与所述阵列基板上的数据线同层设置。
基于上述,可选的,所述透明电极用作公共电极和触控电极。
第二方面,提供一种显示装置,包括第一方面所述的阵列基板。
本发明提供一种阵列基板、显示装置,通过将第一信号线设置在第二信号线的下方,通过凸起与透明电极电连接,与现有技术相比,凸起所占的面积远远小于一条信号线和信号线间隙所占面积之和。也就是说,本发明提供的第一信号线和第二信号线的设置方式,与现有技术相比,可明显提高产品的开口率。
附图说明
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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