[发明专利]一种耐腐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810062299.1 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN108251810B 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 张鹏杰;曹玉杰;衣晓飞;吴玉程;黄秀莲;陈静武;刘家琴;熊永飞 申请(专利权)人: 安徽大地熊新材料股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/46;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/58
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 汪贵艳
地址: 231500 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 腐蚀 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种耐腐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)合金靶材的制备:采用真空熔炼技术制备三元合金靶材,该合金靶材的分子式为ZnxNiyCrz,其中0.65≤x≤0.72,0.08≤y≤0.16,0.12≤z≤0.32;

(2)磁体的预处理:采用等离子体清洗技术对磁体进行清洗;

(3)耐蚀镀层的制备:采用离子束辅助沉积技术,将步骤(1)制备的合金靶材沉积在经步骤(2)清洗后的磁体表面上形成耐腐蚀三元合金镀层;

(4)主弧轰击:对沉积的耐腐蚀三元合金镀层进行主弧轰击处理;

所述三元合金靶材的制备方法如下:

1)分别称取Zn、Ni及Cr金属粉末置于中频感应器熔炼炉内进行真空熔炼;

2)将经熔炼得到的合金铸锭分别进行机械破碎和高能球磨破碎至粒度为300~500目的合金粉末;

3)将合金粉末装入石墨模具中进行压型;

4)将石墨模具放入等离子体真空烧结炉内进行烧结处理,即制得三元合金靶材。

2.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:所述的中频感应器熔炼炉的真空度为(2~6)×10-2 Pa,熔炼温度为1880~1900℃,熔炼时间为10~20min。

3.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:所述的等离子体真空烧结炉的真空度为0.2~0.7Pa;烧结处理是快速升温至1200~1400℃后保温2~5h。

4.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)清洗是采用Ar等离子体清洗枪对磁体的表面进行清洗,其工作气压为1~3Pa,Ar流量为30~60sccm,功率为20~50W,清洗时间为10~30min。

5.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中离子束辅助沉积技术的工艺条件为:真空室的真空度在0.1~0.7Pa,高纯氩气流量为160~240sccm,磁控溅射偏压为100~200V,磁控溅射电流为10~16A,采用离子源提供的Ar+离子束轰击正在生长的薄膜,离子束能量为200~300V×1A;同时装载磁体的转架的转速为10~20r/min,磁控溅射时间为0.5~1h。

6.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中主弧轰击处理是采用高能Ar+离子束对沉积的耐腐蚀三元合金镀层进行主弧轰击处理,其要求真空室的真空度为0.2~0.8Pa、Ar气流量为100~200sccm,轰击处理时间为10~20min。

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