[发明专利]自举式电路及使用该电路的关联的直流转直流转换器有效

专利信息
申请号: 201810062570.1 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN110071634B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 杨曜玮 申请(专利权)人: 晶豪科技股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/088
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电路 使用 关联 流转 直流 转换器
【说明书】:

一种自举式电路,其应用于直流转直流转换器的第一晶体管,自举式电路包括第二晶体管、自举电容以及钳位电路。自举电容具有第一端以及第二端,第一端与第二晶体管的源极端耦接,第二晶体管的源极端与第一晶体管耦接。钳位电路耦接于第二晶体管的栅极端以及自举电容的第二端之间,钳位电路被配置用以保持自举电容的第二端与第二晶体管的栅极端之间的电位差。第二晶体管的漏极端耦接第一参考电压,第一晶体管的栅极端的电压水平的最大值大于第一参考电压。

技术领域

发明关于一种自举式电路及使用该自举式电路的关联的直流转直流转换器。

背景技术

以降压转换器为例,其藉由转换多个开关组件的开/关状态来提供电流至电感以及电容,因此可将输入电压降低以得到输出电压,其中输入电压为电路中最高的电压值。此外,对于具有高输入电压的降压转换器而言,为了减少耗能并得到所需的上拉电阻,常使用N型晶体管来实现,其中N型晶体管具有栅极端与源极端之间具有较小的电位差以及漏极端与源极端之间具有较大的电位差的特性。而为了致能N型晶体管,在N型晶体管的栅极端、源极端以及漏极端中,栅极端的电压水平应该为三端中电压值最高的电压水平。因此,当源极端被充以输入电压的电压值时,栅极端的电压水平在没有补偿的情况下会无法高于源极端的电压水平,晶体管将会难以被致能。

发明内容

本发明的其中一个目的是提供一种自举式电路及关联的直流转直流转换器,以藉此解决前述问题。

根据本发明的一个实施例,公开了一种应用于直流转直流转换器的第一晶体管的自举式电路。自举式电路包括第二晶体管、自举电容以及钳位电路,其中自举电容具有第一端以及第二端,第一端与第二晶体管的源极端耦接,第二晶体管的源极端与第一晶体管耦接。钳位电路耦接于第二晶体管的栅极端以及自举电容的第二端之间,钳位电路被配置用以保持自举电容的第二端与第二晶体管的栅极端之间的电位差。第二晶体管的漏极端耦接第一参考电压,第一晶体管的栅极端的电压水平的最大值大于第一参考电压。

根据本发明的一个实施例,公开了一种直流转直流转换器。直流转直流转换器包括开关电路、电感-电容电路、反馈电路以及自举式电路。开关电路包括第一晶体管以及第二晶体管,其中切换端耦接于第一晶体管的源极端以及第二晶体管的漏极端,第一晶体管的漏极端与第一参考电压耦接。电感-电容电路包括至少一电感器以及电容,电感-电容电路被配置于藉由开关电路接收来自第一参考电压源的电感电流以提供能量至随后负载。反馈电路与电感- 电容电路耦接,反馈电路被配置于用以产生输出电压在输出端以及产生反馈电压。自举式电路包含第三晶体管、自举电容以及钳位电路,其中第三晶体管的源极端与第一晶体管耦接,自举电容具有第一端以及第二端,第一端与第三晶体管的源极端耦接。钳位电路耦接于第三晶体管的栅极端以及自举电容的第二端之间,钳位电路被配置于维持自举电容的第二端与第三晶体管的栅极端之间的电位差。第三晶体管的漏极端与第一参考电压耦接,晶体管的栅极端的电压水平的最大值大于第一参考电压。

对于本领域普通技术人员来说,在阅读以下各个附图和附图中所示的优选实施例的详细描述后,本发明的这些和其它目的将无疑将变得显而易见。

附图说明

图1是应用本发明实施例的自举式电路的降压转换器的示意图;

图2是根据本发明实施例的自举式电路的示意图;以及

图3是根据本发明实施例的钳位电路的示意图。

具体实施方式

整个说明书和权利要求中使用了某些术语来指代特定的部件。如本领域技术人员将认识到的,制造商可以通过不同的名称来引用组件。本说明书未特定地区分名称不同但功能却相同的组件。在下面的描述和权利要求书中,术语“包括”和“包含”以开放式的方式使用,因此不应被解释为诸如“由……组成”的封闭式术语。另外,术语“耦接”旨在表示间接或直接的电连接。因此,如果一个设备耦接到另一个设备,则此连接可以通过直接电连接,或者通过经由其他设备和连接的间接电连接。

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