[发明专利]半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块

权利要求书

1.一种半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，包括一个起支撑作用的多层的介质板（4）和一个输入端口；

所述介质板（4）的顶面上设有输入传输线单元（1）、第一层地（3）、第一输出传输线单元（6）、阻抗过渡单元（7）、第二输出传输线单元（8）、半导体功率放大器单元（9）和直流供电单元（12）；

所述输入传输线单元（1）、半导体功率放大器单元（9）、第二输出传输线单元（8）、阻抗过渡单元（7）和第一输出传输线单元（6）依次连接，所述直流供电单元（12）同半导体功率放大器单元（9）连接；

所述介质板（4）中间各夹层的结合面从上而下依次设有中间层地组（10）和末层层地（11）；所述中间层地组（10）包含有若干个层地，所述末层层地（11）设置于介质板（4）中间所有夹层的最后一层；

所述介质板（4）的底面设有微带天线（13）；

所述第一层地（3）铺设于介质板（4）的顶面的局部区域，具体为输入传输线单元（1）、半导体功率放大器单元（9）、第二输出穿输线单元（8）和直流供电单元（12）周围，且空开第一传输线单元（6）周围区域；中间层地组（10）的若干层地位于第一层地（3）正下方，在夹层中铺设同样面积；第一层地（3）和中间层地组（10）的各层地通过过孔（2）连接起来，为电路电流提供回流路径；

所述介质板（4）上还设有若干个贯穿第一层地（3）和中间层地组（10）的过孔（2），第一层地（3）和中间层地组（10）的各层地通过过孔（2）连接起来，为电路电流提供回流路径；

所述介质板（4）上还设有一个贯穿整个介质板（4）的通孔（5），第一输出传输线单元（6）和微带天线（13）通过通孔（5）连接，且不同其他各层地层连接；

所述的输入传输线单元（1）和第二输出传输线单元（8）是50ΩCPW结构，第一输出传输线单元（6）是50Ω均匀微带线。

2.如权利要求1所述的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，所述第一层地（3）铺设于介质板（4）的顶面的局部区域，中间层地组（10）位于第一层地（3）对应的正下方；末层层地（11）则铺满整个夹层，作为微带天线（13）的地平面。

3.如权利要求1或2所述的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，所述中间层地组（10）的层地数量为2~8个。

4.如权利要求1或2所述的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，所述第二输出传输线单元（8）的宽度小于第一输出传输线单元（6）的宽度。

5.如权利要求1或2所述的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，所述末层层地（11）上设有一个与通孔（5）同圆心的圆形缝隙（14），以此使第一输出传输线单元（6）尾端和微带天线（13）通过通孔（5）连接时，能避开末层层地（11）。

6.如权利要求1或2所述的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，输入传输线单元（1）和半导体功率放大器（9）输入管脚相连，半导体功率放大器（9）输出管脚和第二输出传输线单元（8）相连，第二输出传输线单元（8）、阻抗过渡单元（7）和第一输出传输线单元（6）；第一输出传输线单元（6）的尾端和通孔（5）相连。

7.如权利要求1或2所述的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，所述的输入传输线单元（1）、第二输出传输线单元（8）、直流供电单元（12）、第一层地（3）、中间层地组（10）、末层层地（11）、过孔（2）、通孔（5）、阻抗过渡单元（7）、第一输出传输线单元（6）和微带天线（13）均为导体。

8.如权利要求1或2所述的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，所述微带天线（13）为-10dB带宽覆盖5.77GHz-5.83GHz。

9.如权利要求1或2所述的半导体功率放大器和天线一体化的多层发射模块，其特征在于，所述介质板（4）的介电常数为2.2。