[发明专利]氧化多壁碳纳米管的方法

权利要求书

1.一种氧化多壁碳纳米管的方法，包括以下步骤：

S1，提供至少一根多壁碳纳米管，所述至少一根多壁碳纳米管选自一超顺排碳纳米管阵列，所述至少一根多壁碳纳米管不含有残留的催化剂金属颗粒；

S2，仅将所述至少一根多壁碳纳米管置于二氧化碳气体并放入加热炉中加热，所述加热炉中仅含有二氧化碳气体；

S3，加热所述加热炉至800℃～950℃，该至少一根多壁碳纳米管被二氧化碳氧化，且沿该至少一根多壁碳纳米管的长度方向对该至少一根多壁碳纳米管的管壁进行氧化剥离，管壁剥离后的所述至少一根多壁碳纳米管的表面仅具有碳氧单键，得到一氧化的碳纳米管，且该氧化的碳纳米管不含残留的催化剂金属颗粒。

2.如权利要求1所述的氧化多壁碳纳米管的方法，加热所述加热炉使其达到900℃。

3.如权利要求1所述的氧化多壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述加热炉为一管式炉或马弗炉，所述加热炉中充满二氧化碳气体。

4.如权利要求1所述的氧化多壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述至少一根多壁碳纳米管被二氧化碳氧化的过程中，该至少一根多壁碳纳米管的管壁被连续剥离，使该至少一根多壁碳纳米管管壁减少，从而导致直径减小。

5.如权利要求4所述的氧化多壁碳纳米管的方法，其特征在于，被氧化剥离的管壁为一片状结构，该片状结构的厚度为1nm-3nm。

6.如权利要求5所述的氧化多壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述片状结构的长度为50nm以上。

7.如权利要求1所述的氧化多壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述至少一根多壁碳纳米管的长度大于或等于300微米，步骤S3中该至少一根多壁碳纳米管管壁的多个不同位置被连续剥离。

8.如权利要求1所述的氧化多壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述超顺排碳纳米管阵列的制备方法为：

提供一平整基底；在该基底表面均匀形成一催化剂层；将形成有催化剂层的基底在700～900℃的空气中退火30分钟～90分钟；将退火过的基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热到500～740℃，然后通入碳源气体反应5～30分钟，生长得到超顺排碳纳米管阵列。

9.如权利要求1所述的氧化多壁碳纳米管的方法，其特征在于，当所述至少一根多壁碳纳米管为多根多壁碳纳米管时，该多根多壁碳纳米管相互平行且沿同一方向延伸。