[发明专利]基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管

权利要求书

1.一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管，所述两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源V_g，共接源极和漏极，一个自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与第一源漏极电压V_ds1连接，另一个自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与第二源漏极电压V_ds2连接，组成一对称的环状电路，所述环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压V_p连接，另一端为输出端，在栅极电压V_g超过阈值时，输出漏电流随输入的漏电压V_p呈现谐振变化，形成一个周期的半周期顺时针和另半周期逆时针循环环路电流，在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。

2.根据权利要求1所述的基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：所述自激励单电子自旋电磁晶体管包括衬底(1)，所述衬底(1)上设置有纳米碳化硅薄膜结构(2)、源极(3)、漏极(4)、栅极(7)，所述纳米碳化硅薄膜结构(2)由层状纳米碳化硅单晶体薄膜(2-1)互嵌构成，所述纳米碳化硅薄膜结构(2)的两端分别与源极(3)和漏极(4)接触，形成源漏极有源区，所述纳米碳化硅薄膜结构(2)的上部依次设置有绝缘层(5)、接触金属层(6)，所述栅极(7)从接触金属层(6)引出。

3.根据权利要求2所述的基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：所述纳米碳化硅薄膜结构(2)为多型纳米碳化硅单晶体构成，形成多型层互嵌结构。

4.根据权利要求2所述的基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：所述纳米碳化硅薄膜结构(2)的中间层为纯净碳化硅单晶体薄膜，其他层为轻掺杂碳化硅单晶体薄膜。

5.根据权利要求2所述的基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：所述纳米碳化硅单晶体包括4H、6H、3C、15R中一种或多种。

6.根据权利要求2所述的基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：所述纳米碳化硅薄膜结构(2)中每一层纳米碳化硅单晶体薄膜(2-1)的厚度为1～100nm。

7.根据权利要求2所述的基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：所述纳米碳化硅薄膜结构(2)的中间层为4H-SiC薄膜，一端置于一层6H-SiC薄膜端部的上方，另一端置于另一层6H-SiC薄膜端部的下方。

8.根据权利要求7所述的基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，其特征在于：所述纳米碳化硅单晶体薄膜(2-1)为P型掺杂或者N型掺杂的，分别构成纳米线异质结。