[发明专利]一种可调太赫兹超材料吸收器

权利要求书

1.一种可调太赫兹超材料吸收器，其特征在于它包括基底层（1）、下电介质层（2）、液晶材料层（3）、上电介质层（4）和金属圆盘谐振器阵列层（5）；基底层（1）为二硫化钼膜层，二硫化钼膜层的上层为下电介质层（2），下电介质层（2）上层为液晶材料层（3），液晶材料层（3）上层为上电介质层（4），上电介质层（4）的上层为金属圆盘谐振器阵列层（5）；金属圆盘谐振器阵列层（5）由3×3个互补单元结构排列组成，每个互补单元结构均由金属圆盘和椭圆盘组成的，在每个互补单元结构中，圆盘位于中心，并且被四个椭圆盘围绕，同一个互补单元结构中相邻两个椭圆盘的长轴垂直；相邻两个互补单元结构之间存在一个共用的椭圆盘。

2.根据权利要求1所述的一种可调太赫兹超材料吸收器，其特征在于所述的金属圆盘谐振器阵列层（5）的材料为铜，厚度为0.2μm；位于每个互补单元结构中心的金属圆盘的半径为36μm，位于四周的椭圆盘的短轴长为25μm，长轴长为55μm，互补单元结构呈矩形阵列排布，排列周期为130μm。

3.根据权利要求1所述的一种可调太赫兹超材料吸收器，其特征在于所述的上电介质层（4）的长度和宽度都为440μm，厚度为1μm。

4.根据权利要求1所述的一种可调太赫兹超材料吸收器，其特征在于所述的下电介质层（2）的长度和宽度都为440μm，厚度为1μm。

5.根据权利要求1所述的一种可调太赫兹超材料吸收器，其特征在于所述的液晶材料层（3）长度和宽度都为440μm，厚度为3.3μm。

6.根据权利要求1所述的一种可调太赫兹超材料吸收器，其特征在于所述的基底层（1）材料为二硫化钼，长度和宽度都为440μm，厚度为8μm。