[发明专利]一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器

权利要求书

1.一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器，其特征在于包括硅基底层（1）、3层无裂环谐振结构、4层BCB材料介质，第一BCB材料介质层（2）附在硅基底层（1）上方，第一BCB材料介质层（2）上方依次为第一无裂环谐振结构层（3）、第二BCB材料介质层（4）、第二无裂环谐振结构层（5）、第三BCB材料介质层（6）、第三无裂环谐振结构层（7）和第四BCB材料介质层（8）；每层无裂环谐振结构由两层BCB材料夹持形成三明治夹层结构，每层无裂环谐振结构是由一层铝薄膜挖去四个呈2×2阵列分布的缺角正方形（9）而形成的，四个缺角正方形（9）均贯通该层铝薄膜且缺角一侧均朝向该层铝薄膜中心；太赫兹移相器中的每一层均呈中心对称。

2.根据权利要求1所述的一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器，其特征在于所述的硅基底层（1）的宽度为54~58μm，长度为54~58μm，厚度为46~50μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器，其特征在于所述的第一BCB材料介质层（2），长度为54~58μm，宽度为54~58μm，厚度为4.5~8.5μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器，其特征在于所述的第二BCB材料介质层（4），长度为54~58μm，宽度为54~58μm，厚度为30~34μm。

5.根据权利要求1所述的一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器，其特征在于所述的第三BCB材料介质层（6），长度为54~58μm，宽度为54~58μm，厚度为7~11μm。

6.根据权利要求1所述的一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器，其特征在于所述的第四BCB材料介质层（8），长度为54~58μm，宽度为54~58μm，厚度为4~8μm。

7.根据权利要求1所述的一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器，其特征在于所述的每层无裂环谐振结构，材料是金属铝，整体长度为54~58μm，整体宽度为54~58μm，整体厚度为0.1~0.3μm；每层无裂环谐振结构的边缘线与所述缺角正方形（9）边缘之间的宽为3~5μm，每层无裂环谐振结构中相对角的两个缺角正方形（9）缺角处的斜边之间距离为18~22μm。