[发明专利]一种集成电路封装后处理的去胶方法

说明书

本发明公开了集成电路封装后处理的去胶方法。一种集成电路封装后处理的去胶方法，其包括：在化学去胶过程中，增加如下操作：惰性气体鼓泡、溢流和兆声中的一种或多种。所述的去胶方法可延长去胶剂的寿命(最长可达4个月以上)，配合常规去胶剂，可单独去除tape胶或溢料，或者同时去除tape胶和溢料，并减少后续电镀工艺的毛刺的产生；对塑封体和基材无损伤；可明显缩短去胶时间。

技术领域

本发明涉及一种集成电路封装后处理的去胶方法。

背景技术

半导体在封装的过程中，塑封体和引脚上会残留各种胶状物质，如tape胶(胶带的胶膜，或称为胶带胶膜，成分一般为硅烷类树脂)或溢料(又称毛刺或飞边，成分一般为环氧塑封料)等，需要清除。否则会导致封装工艺中的框架变形、漏镀、镀层缺陷而影响产品的可靠性，造成产品断路、虚焊等问题，影响管脚的电气导通性能，严重的会导致返工及芯片功能失效甚至报废，这带来了封装工艺的繁杂及成本的上升。因此，去tape胶(detape)和去溢料(deflash或debur)是半导体集成电路封装后处理的重要工艺步骤，尤其是“倒装QFN”(FCQFN)的封装工艺中需要用到。

目前去tape胶(detape)或去溢料(deflash或debur)的方法有高压水喷射去胶、高压水喷砂去胶、激光去胶、化学药水去胶及电化学方法去胶等。其中高压水喷射去胶、高压水喷砂去胶、激光去胶和电化学方法去胶，成本较高且方法剧烈，化学药水去胶由于其低成本及条件温和，逐渐成为主流方法。

化学药水去胶也存在效果不佳的问题，如药水寿命短、药水去除力不够、药水对塑封体和基材有损伤、药水无法一步法去除tape胶和溢料(即只能够单独去除tape或溢料，而不能同时去除tape胶和溢料)等问题。

CN102864458A中公开了一种环保型弱酸性去毛刺软化液，其组分和百分比为：二甲基乙酰胺30-50％、二甲基亚砜30％-50％、糠醛0.5％-1％、OP-10表面活性剂0.5-1％、其余为水。该软化液存在寿命短的缺陷，寿命在一周左右(见[0022]段)，且该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN102808190A中公开了一种环保型弱碱性低温去毛刺软化液，其各组分和质量百分比为：四氢呋喃10-35％、丙二醇10％-35％、烷基酚聚氧乙醚烯1-5％、乙醇胺5-20％、N-甲基二乙醇胺1-10％、其余为水。该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN1935939A中公开了一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液，采用下列配方：乙二醇苯醚35％、二乙二醇二丁醚20％、己内酰胺15％、甘油10％和异氟尔酮20％。该去毛刺溶液仅是用于去毛刺(溢料)。

CN103128892A中公开了一种去溢料的溶液，包含质量百分数为10-60％的1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、10-30％的乙醇胺、10-60％的六甲基磷酰三胺、0-10％的去离子水。该去溢料的溶液仅是用于去溢料。

CN102270587B中公开了一种塑封晶体管溢料软化液，包含酰胺化合物、烷基醚、NH₄F、碱性调整剂、水。该软化液仅是用于去毛刺(溢料)。

可见，上述专利文献中涉及的产品仅能够去除溢料，并不能够去除tape胶，更不用说同时去除tape胶和溢料。因此，本领域迫切需要开发一种集成电路封装后处理用去tape胶和/或去溢料的方法，来解决这些问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术中半导体在封装的过程中，引脚上残留的各种胶状物质如tape胶或溢料等，在使用化学药水去胶方法去除时，存在的化学药水寿命短、去除力不够、对塑封体和基材有损伤、药水无法一步法去除tape胶和溢料等缺陷，而提供了一种集成电路封装后处理去胶方法。本发明的方法可延长去胶剂的寿命(最长可达4个月以上)，配合常规去胶剂，可单独去除tape胶或溢料，或者同时去除tape胶和溢料，并减少后续电镀工艺的毛刺的产生；对塑封体和基材无损伤。