[发明专利]一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法在审

专利信息
申请号: 201810064973.X 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN108179399A 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 张艳锋;史建平 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C23C16/30 分类号: C23C16/30;B82Y40/00
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;张红生
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 二硫化钽 化学气相沉积 金箔 生长 纳米片 预退火 薄层 清洗 常压化学气相沉积 低压化学气相沉积 高温管式炉 氩气 薄膜样品 电子结构 厚度可调 微观形貌 氢气 覆盖度 可控制 温度降 放入 薄膜 制备 调控 购买 探索
【权利要求书】:

1.一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,所述方法包括以下步骤:

1)将金箔衬底进行清洗和高温预退火处理;

2)将处理后的金箔衬底置于三温区高温管式炉中,按照气路由上游至下游的顺序,依次放置硫粉、五氯化钽和金箔衬底;

3)向高温管式炉的反应腔内通入氩气和氢气,对反应腔进行清洗;

4)分别升高硫粉、五氯化钽和金箔衬底的温度至280~300℃、300~350℃和700~750℃,进行二硫化钽的生长;

5)二硫化钽生长结束后,温度降至室温,同时关闭氩气和氢气,即可得到金箔衬底上的二硫化钽样品。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,在步骤3)中,先将反应腔内真空度抽至1Pa以下,再向高温管式炉的反应腔内通入氩气和氢气,对反应腔进行清洗。

3.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述金箔衬底的尺寸为1厘米×1厘米,厚度为25微米。

4.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述步骤1)中,将金箔衬底依次置于氢氧化钠溶液和去离子水中进行清洗,随后在丙酮中超声清洗,用氮气吹干,完成金箔衬底的清洗。

5.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述步骤2)中,硫粉和五氯化钽的质量分别为100~120mg和3~5mg;五氯化钽与金箔和硫粉之间的距离分别为5~7cm和3~4cm。

6.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述步骤3)中,氩气和氢气的流量分别为100~150sccm和10~15sccm。

7.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述步骤4)中,生长时间为5到30分钟。

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