[发明专利]一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法在审
申请号: | 201810064973.X | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108179399A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 张艳锋;史建平 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 陈琳琳;张红生 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 二硫化钽 化学气相沉积 金箔 生长 纳米片 预退火 薄层 清洗 常压化学气相沉积 低压化学气相沉积 高温管式炉 氩气 薄膜样品 电子结构 厚度可调 微观形貌 氢气 覆盖度 可控制 温度降 放入 薄膜 制备 调控 购买 探索 | ||
1.一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,所述方法包括以下步骤:
1)将金箔衬底进行清洗和高温预退火处理;
2)将处理后的金箔衬底置于三温区高温管式炉中,按照气路由上游至下游的顺序,依次放置硫粉、五氯化钽和金箔衬底;
3)向高温管式炉的反应腔内通入氩气和氢气,对反应腔进行清洗;
4)分别升高硫粉、五氯化钽和金箔衬底的温度至280~300℃、300~350℃和700~750℃,进行二硫化钽的生长;
5)二硫化钽生长结束后,温度降至室温,同时关闭氩气和氢气,即可得到金箔衬底上的二硫化钽样品。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,在步骤3)中,先将反应腔内真空度抽至1Pa以下,再向高温管式炉的反应腔内通入氩气和氢气,对反应腔进行清洗。
3.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述金箔衬底的尺寸为1厘米×1厘米,厚度为25微米。
4.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述步骤1)中,将金箔衬底依次置于氢氧化钠溶液和去离子水中进行清洗,随后在丙酮中超声清洗,用氮气吹干,完成金箔衬底的清洗。
5.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述步骤2)中,硫粉和五氯化钽的质量分别为100~120mg和3~5mg;五氯化钽与金箔和硫粉之间的距离分别为5~7cm和3~4cm。
6.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述步骤3)中,氩气和氢气的流量分别为100~150sccm和10~15sccm。
7.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,其特征在于,所述步骤4)中,生长时间为5到30分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810064973.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金刚石涂层钻头及其制备方法
- 下一篇:一种挤压模具的表面处理方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的