[发明专利]一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，所述方法包括以下步骤：

1)将金箔衬底进行清洗和高温预退火处理；

2)将处理后的金箔衬底置于三温区高温管式炉中，按照气路由上游至下游的顺序，依次放置硫粉、五氯化钽和金箔衬底；

3)向高温管式炉的反应腔内通入氩气和氢气，对反应腔进行清洗；

4)分别升高硫粉、五氯化钽和金箔衬底的温度至280～300℃、300～350℃和700～750℃，进行二硫化钽的生长；

5)二硫化钽生长结束后，温度降至室温，同时关闭氩气和氢气，即可得到金箔衬底上的二硫化钽样品。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，其特征在于，在步骤3)中，先将反应腔内真空度抽至1Pa以下，再向高温管式炉的反应腔内通入氩气和氢气，对反应腔进行清洗。

3.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，其特征在于，所述金箔衬底的尺寸为1厘米×1厘米，厚度为25微米。

4.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，其特征在于，所述步骤1)中，将金箔衬底依次置于氢氧化钠溶液和去离子水中进行清洗，随后在丙酮中超声清洗，用氮气吹干，完成金箔衬底的清洗。

5.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，其特征在于，所述步骤2)中，硫粉和五氯化钽的质量分别为100～120mg和3～5mg；五氯化钽与金箔和硫粉之间的距离分别为5～7cm和3～4cm。

6.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，其特征在于，所述步骤3)中，氩气和氢气的流量分别为100～150sccm和10～15sccm。

7.根据权利要求1或2所述的化学气相沉积法制备二硫化钽的方法，其特征在于，所述步骤4)中，生长时间为5到30分钟。