[发明专利]固相结晶方法与低温多晶硅TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种固相结晶方法，其特征在于，包括：提供非晶硅，将非晶硅加热至第一结晶温度后，对非晶硅继续加热，使其在第一时间段内从第一结晶温度逐渐升温至第二结晶温度，将非晶硅在第二结晶温度保温一段时间后，对非晶硅进行降温，使其在第二时间段内从第二结晶温度逐渐降温至第一结晶温度，对非晶硅继续降温，使其降至室温，得到低温多晶硅；

所述第一时间段与第二时间段长度相同，均为1分钟至10分钟，将非晶硅在第二结晶温度保温的时间为30分钟至120分钟。

2.如权利要求1所述的固相结晶方法，其特征在于，所述第一结晶温度为380-420℃，所述第二结晶温度为630-670℃。

3.如权利要求1所述的固相结晶方法，其特征在于，所述第一时间段与第二时间段均为5分钟，将非晶硅在第二结晶温度保温的时间为60分钟。

4.如权利要求1所述的固相结晶方法，其特征在于，所述非晶硅按照恒定的升温速率从第一结晶温度逐渐升温至第二结晶温度，并按照恒定的降温速率从第二结晶温度逐渐降温至第一结晶温度，所述升温速率与降温速率相同。

5.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积缓冲层(20)，在所述缓冲层(20)上沉积非晶硅层(31)，得到待处理基板(40)；

步骤S2、采用固相结晶方法使所述非晶硅层(31)转化为低温多晶硅层(32)，所述固相结晶方法包括：将所述待处理基板(40)加热至第一结晶温度后，对所述待处理基板(40)继续加热，使其在第一时间段内从第一结晶温度逐渐升温至第二结晶温度，将所述待处理基板(40)在第二结晶温度保温一段时间后，对所述待处理基板(40)进行降温，使其在第二时间段内从第二结晶温度逐渐降温至第一结晶温度，对所述待处理基板(40)继续降温，使其降至室温；

步骤S3、对所述低温多晶硅层(32)进行图形化处理，得到有源层(50)；

在所述有源层(50)与缓冲层(20)上沉积栅极绝缘层(60)，在所述栅极绝缘层(60)上形成栅极(70)；

步骤S4、采用自对准技术以所述栅极(70)为掩膜板在所述有源层(50)的两端植入掺杂离子，形成源极接触区(51)、漏极接触区(52)以及位于所述源极接触区(51)与漏极接触区(52)之间且对应于所述栅极(70)下方的沟道区(53)；

步骤S5、在所述栅极(70)与栅极绝缘层(60)上沉积层间介电层(80)，对所述层间介电层(80)与栅极绝缘层(60)进行图形化处理，在所述层间介电层(80)与栅极绝缘层(60)中形成分别对应于有源层(50)的源极接触区(51)与漏极接触区(52)的源极接触孔(81)与漏极接触孔(82)；

步骤S6、在所述层间介电层(80)上形成源极(91)与漏极(92)，所述源极(91)与漏极(92)分别通过源极接触孔(81)与漏极接触孔(82)和有源层(50)的源极接触区(51)与漏极接触区(52)相接触；

所述第一时间段与第二时间段长度相同，均为1分钟至10分钟，将所述待处理基板40在第二结晶温度保温的时间为30分钟至120分钟。

6.如权利要求5所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一结晶温度为380-420℃，所述第二结晶温度为630-670℃。

7.如权利要求5所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一时间段与第二时间段均为5分钟，将所述待处理基板(40)在第二结晶温度保温的时间为60分钟。

8.如权利要求5所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述待处理基板(40)按照恒定的升温速率从第一结晶温度逐渐升温至第二结晶温度，并按照恒定的降温速率从第二结晶温度逐渐降温至第一结晶温度，所述升温速率与降温速率相同。