[发明专利]晶体硅热氧化工艺、系统及晶体硅太阳能电池热氧化工艺

权利要求书

1.一种晶体硅热氧化工艺，其特征在于，包括以下步骤：

将硅片放置于紫外臭氧腔室内；向紫外臭氧腔室内通入携带有水蒸气的二氧化氮与氧气的混合气，紫外臭氧腔室内的氧气在紫外线的促进下转化为臭氧和游离氧；在150-160℃的温度下，在水蒸气、二氧化氮、臭氧和游离氧的共同促进下，硅片表面生成二氧化硅氧化层；

所述携带有水蒸气的二氧化氮与氧气的混合气中，二氧化氮与氧气的摩尔比为1:4-5，所述二氧化氮与氧气的混合气湿度为70-80％；

所述携带有水蒸气的二氧化氮与氧气的混合气的制备方法如下：将氧气通入到稀硝酸中并加热，所述加热温度为70-80℃；得到携带有水蒸气的二氧化氮与氧气的混合气；

所述稀硝酸由浓硝酸与去离子水配置而成，所述浓硝酸浓度为69.2％wt，浓硝酸与去离子水的质量比＝1:3-5；

晶体硅热氧化工艺采用的晶体硅热氧化系统，包括氧气源、加热加湿器、紫外臭氧腔室和真空泵，所述氧气源与加热加湿器进气管连通，所述进气管出口深入加热加湿器内溶液中，所述加热加湿器内设置有加热管；所述加热加湿器气体出口通过管路与紫外臭氧腔室连通，所述紫外臭氧腔室内设置有用于放置硅片的传送带，所述传送带上方和下方设置有紫外灯管，所述紫外臭氧腔室内设置有加热管，所述紫外臭氧腔室出口通过三向导通阀与尾气排气口和真空泵连通。

2.根据权利要求1所述晶体硅热氧化工艺，其特征在于，硅片在紫外臭氧腔室内热氧化时间为10-15分钟。

3.根据权利要求1所述晶体硅热氧化工艺，其特征在于，所述紫外臭氧腔室内壁为透明石英玻璃，所述传送带的材质为聚四氟乙烯或其他耐热材料。