[发明专利]一种超高速数据接口ESD防护芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种超高速数据接口ESD防护芯片，其结构包括：一个雪崩二极管D1，8个整流二极管D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9，

A、雪崩二极管结构包括：高阻衬底里面包含N-well，N-well里面包含SN，SN里面包含SP，单晶硅上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中，雪崩二极管D1的SP与整流二极管D5和D9的SP相连，雪崩二极管D1的SN与整流二极管D2和D6的SN相连；

B、整流二极管结构包括：高阻衬底里面包含N-well，N-well里面包含SN和SP，SN和SP成梳状结构，单晶硅上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中，整流二极管D2和D3串联，D4和D5串联，D6和D7串联，D8和D9串联，整流二极管D5和D9的SP与雪崩二极管D1的SP相连，整流二极管D2和D6的SN与雪崩二极管D1的SN相连，D3的SP与D4的SN相连，D7的SP与D8的SN相连。

2.一种超高速数据接口ESD防护芯片，其制造方法包括：

A、衬底301的准备，衬底选用电阻率1000Ω.cm的P型单晶片，打标，清洗，甩干；

B、N-well 302制造，氧化、光刻、刻蚀、去胶、氧化，注入N型杂质，高温退火；

C、SN303制造，光刻、刻蚀、去胶、氧化，注入大剂量N型杂质；

D、SP304制造，光刻、刻蚀、去胶、氧化，注入大剂量P型杂质；

E、SN303 和SP304的高温退火；

F、引线孔制造，SiO2氧化层305淀积，光刻，SiO2刻蚀，去胶；

G、金属布线306制造，金属层淀积，光刻，金属层刻蚀，去胶；

H、钝化层307制造，SiO2淀积，SiN淀积，光刻，SiN刻蚀，SiO2刻蚀，去胶；

I、背面减薄，根据封装对芯片厚度的要求进行背面减薄。