[发明专利]晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法有效
申请号: | 201810066705.1 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN108695268B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 南宗铉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 封装 半导体器件 单元 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶圆级封装,该晶圆级封装包括:
半导体芯片,所述半导体芯片被并排地设置在互连结构层上;
加固夹具,该加固夹具附接至所述半导体芯片;以及
模制层,该模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具,
其中,所述加固夹具包括:
条部,所述条部附接至所述半导体芯片;以及
边缘部,该边缘部与所述条部连接,
其中,所述条部彼此交叉,以提供具有网格形状的网状部,并且
其中,所述半导体芯片被设置在由所述网状部和所述边缘部包围并限定的内部空间中。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装,其中,所述加固夹具的所述边缘部按照覆盖所述模制层的侧壁的方式延伸。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装,其中,所述加固夹具包含不锈钢材料、合金材料或玻璃材料。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装,其中,所述加固夹具的热膨胀系数低于所述模制层的热膨胀系数。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装,其中,所述加固夹具包含刚性比所述模制层大的材料。
6.根据权利要求1所述的晶圆级封装,该晶圆级封装还包括粘合层,所述粘合层按照将所述半导体芯片永久地接合至所述加固夹具的方式设置在所述半导体芯片中的每一个和所述加固夹具之间。
7.根据权利要求6所述的晶圆级封装,其中,所述粘合层被设置在所有所述半导体芯片上。
8.根据权利要求1所述的晶圆级封装,
其中,所述互连结构层包括用于将所述半导体芯片与外部装置电连接的迹线图案;并且
其中,所述迹线图案中的至少一个按照与模制层交叠的方式延伸。
9.根据权利要求1所述的晶圆级封装,
其中,所述互连结构层包括用于将所述半导体芯片与外部连接端子电连接的迹线图案;并且
其中,所述迹线图案中的至少一个按照与模制层交叠的方式延伸。
10.一种晶圆级封装,该晶圆级封装包括:
半导体芯片,该半导体芯片被设置在互连结构层上;
加固夹具,该加固夹具按照包括至少一个条部的方式附接至所述半导体芯片的表面;以及
模制层,该模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具,
其中,所述至少一个条部包括两个条部,并且
其中,所述两个条部彼此交叉,以提供与所述加固夹具对应的网状部。
11.根据权利要求10所述的晶圆级封装,其中,所述加固夹具包含不锈钢材料、合金材料或玻璃材料,
其中,所述加固夹具的热膨胀系数低于所述模制层的热膨胀系数,并且
其中,所述加固夹具包含刚性比所述模制层大的材料。
12.一种半导体器件单元,该半导体器件单元包括:
半导体芯片,该半导体芯片被设置在互连结构层上;以及
保护层,该保护层附接至所述半导体芯片并且包括:
模制层,该模制层覆盖所述半导体芯片;以及
网状部,该网状部嵌入所述模制层中,
其中,所述网状部的顶表面与所述模制层的顶表面共面。
13.根据权利要求12所述的半导体器件单元,其中,所述网状部的侧壁在所述模制层的侧壁处被暴露。
14.根据权利要求12所述的半导体器件单元,其中,所述网状部具有交叉形状。
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