[发明专利]一种胶孢炭疽菌产孢方法

说明书

本发明提供一种胶孢炭疽菌产孢方法，包括以下步骤：步骤1：将胶孢炭疽菌接在培养基上，于恒温培养箱光照‑黑暗交替培养至接近长满培养基；步骤2：在无菌操作台里，加入少量无菌水，用无菌玻璃棒将表面气生菌丝刮下并倒出，盖上培养皿盖，朝上在紫外光下照射；步骤3：然后再于恒温培养箱光照‑黑暗交替培，即可得到大量孢子。本发明可在12d—20d内获得大量孢子，产孢量为不处理时的10‑20倍，可以短时获得大量孢子。

技术领域

本发明属于生物技术领域，尤其涉及一种胶孢炭疽菌产孢方法。

背景技术

核桃炭疽病具有潜伏期长、发病时间短、爆发性强的特点，可致果实坏疽落果，叶片焦枯脱落，同时还危害嫩梢，严重影响核桃产量和品质，造成严重的经济损失，是核桃生产中的一类灾难性病害。我国大部分学者经调查研究认为核桃炭疽病病原菌无性世代属于半知菌类，黑盘孢目刺盘孢属(Colletotrichum Corda)胶孢炭疽病菌(C.gloeosporioidesPenz)。

对胶孢炭疽菌的孢子研究实验及孢子接种实验时，常常需要短时内得到大量的孢子，由于胶孢炭疽菌在PDA培养基生长条件下，需要15-60天才开始产孢，且产孢较少，不利于实验的开展，且增加大量工作。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术存在的缺陷，提供一种能够短时获得大量孢子的胶孢炭疽菌产孢方法。

一种胶孢炭疽菌产孢方法，包括以下步骤：

步骤1：将胶孢炭疽菌接在培养基上，于恒温培养箱光照-黑暗交替培养至接近长满培养基；

步骤2：在无菌操作台里，加入少量无菌水，用无菌玻璃棒将表面气生菌丝刮下并倒出，再盖上培养皿盖，面对菌丝的一面利用紫外光照射；

步骤3：再于恒温培养箱光照-黑暗交替培养，即可得到孢子。

进一步地，如上所述的方法，所述培养基为PDA培养基。

具体地，必须使用PDA培养基的原因：使用PDA培养基，适宜胶孢炭疽菌快速、旺盛生长。其他培养基，如OA、WA培养基均生长缓慢、且气生菌丝稀少。

进一步地，如上所述的方法，步骤1中恒温培养箱的培养条件为：28℃，12/12光照-黑暗交替培养。

具体地，适宜胶孢炭疽菌菌丝生长的最适温度为28℃，在此温度下，菌丝生长最快、最旺盛。12/12光照-黑暗交替培养则是模仿自然条件下的光照情况。

进一步地，如上所述的方法，步骤2中，紫外光下照射的时间为12h。

具体地，紫外光具有杀菌的作用，12h的紫外光照有利于给菌丝恶劣的生长条件，若照射时间太长菌株会变异、死亡，照射时间太短则达不到产孢效果。

进一步地，如上所述的方法，步骤3中恒温培养箱的培养条件为：24℃，12/12光照-黑暗交替培养7-15d。

具体地，本人前期大量实验表明，适宜胶孢炭疽菌产孢的最适温度为24℃，在此温度下，菌株更容易产孢。12/12光照-黑暗交替培养则是模仿自然条件下的光照情况。

有益效果：

本发明可在12d—20d内获得大量孢子，产孢量为不处理时的10-20倍，可以短时获得大量孢子。

2、由于处理后没有了气生菌丝，孢子更容易刮下，更纯净，更容易获得高浓度孢子悬浮液。(不处理的有气生菌丝阻挡，洗下的孢子浓度更小，混杂断菌丝更多)

附图说明

图1自然胶孢炭疽菌产孢为和经过本发明方法胶孢炭疽菌产孢的对比图。

具体实施方式