[发明专利]存储器系统及其操作方法

说明书

根据本发明构思的示例实施例的存储器系统可以包括存储设备和存储器设备。存储设备包括：被配置为连接到处理器的第一接口电路；以及不同于第一接口电路的第二接口电路。存储器设备包括：被配置为基于DRAM接口连接到处理器的第三接口电路；被配置为不同于第三接口电路并被配置为连接到第二接口电路的第四接口电路；以及被划分为第一存储器区域和第二存储器区域的随机存取存储器。第一存储器区域由处理器通过第三接口电路访问，并且第二存储器区域由存储设备通过第二接口电路和第四接口电路访问。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2017年2月15日递交的韩国专利申请10-2017-0020634的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

背景技术

本发明构思涉及半导体存储器设备，更具体地，涉及存储器系统及其操作方法。

半导体存储器设备可以使用诸如硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs、磷化铟InP等的半导体来实现。半导体存储器设备可以分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备。

通常，存储器系统使用具有相对较高速度的存储器设备作为主存储器。存储器系统也可以使用非易失性存储器设备作为存储设备，即使当其电力被中断时，非易失性存储器设备也保存其存储的数据。例如，主存储器可以包括DRAM设备等，存储设备可以包括闪存设备(例如，NAND型闪存、NOR型闪存等)。

随着对具有更高性能和更高效率的存储器系统的需求的增加，正在开发将控制器和闪存设备嵌入在一起的SSD(固态驱动器)、eMMC(嵌入式多媒体卡)等。也正在开发将控制器和DRAM设备嵌入在一起的MDS(受管理的DRAM解决方案)。然而，诸如MDS(受管理的DRAM解决方案)的新型存储器设备可能需要存储器系统使用与现有DRAM接口不同的接口。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种包括存储设备和存储器设备的存储器系统。存储设备包括：被配置为连接到处理器的第一接口电路；以及不同于第一接口电路的第二接口电路。存储器设备包括：被配置为基于DRAM接口连接到处理器的第三接口电路；被配置为不同于第三接口电路并被配置为连接到第二接口电路的第四接口电路；以及被划分为第一存储器区域和第二存储器区域的随机存取存储器。第一存储器区域由处理器通过第三接口电路访问，并且第二存储器区域由存储设备通过第二接口电路和第四接口电路访问。

本发明构思的示例实施例提供了一种操作包括存储设备和连接到存储设备的存储器设备的存储器系统的方法。该方法可以包括：由处理器执行与所述存储设备的第一握手操作和与所述存储器设备的第二握手操作；在处理器中，将所述存储器设备划分为第一存储器区域和第二存储器区域；将所述第一存储器区域分配给第一地址；将所述第二存储器区域分配给第二地址；由所述处理器向所述存储设备提供所述第二地址；以及由所述存储设备执行与所述存储器设备的第三握手操作。

示例实施例提供了一种存储器系统，该存储器系统包括：包括第一辅助接口电路的易失性主存储器设备；包括第二辅助接口电路的非易失性存储设备；以及处理器组件，该处理器组件包括被配置为控制所述易失性主存储器设备的操作的主存储器控制器和被配置为控制所述非易失性存储设备的操作的存储控制器。所述易失性主存储器设备和所述非易失性存储设备被配置为经由所述第一辅助接口电路和所述第二辅助接口电路进行通信，而不经过所述处理器组件。

应注意的是，针对一个实施例描述的本发明构思的各方面可以并入不同的实施例中，尽管没有关于此进行具体描述。也就是说，能够用任意方式和/或组合来组合所有实施例和/或任意实施例的特征。在下面阐述的说明书中详细描述了本发明构思的这些和其他方面。

附图说明

下面将参考附图更详细地描述本发明构思的实施例。然而，本发明构思的实施例可以以不同的形式实现，并且不应当被构造为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开透彻和完整，并将本发明构思的范围充分传达给本领域技术人员。相似的数字始终指代相似的元件。