[发明专利]一种类太阳光谱的LED光源及其制备方法

权利要求书

1.一种类太阳光谱的LED光源，其特征在于，包括紫光芯片、两种不同主波长范围的蓝光芯片，以及涂覆于紫光芯片、蓝光芯片上的光转化层，紫光芯片的波段范围为400nm～430nm；光转化层通过荧光粉和封装胶制备，荧光粉由下述组分组成：

发射波长为490～505nm的青粉：8％～20％；

发射波长为520～540nm的绿粉：65％～80％；

发射波长为640～660nm的深红色粉：8％～15％。

2.根据权利要求1所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，两种不同主波长范围的蓝光芯片数量为1：1。

3.根据权利要求2所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，如果单颗发光芯片为并联连接，则蓝光芯片与紫光芯片的数量比为2：1。

4.根据权利要求2所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，如果单颗发光芯片为串联连接，则蓝光芯片与紫光芯片的数量比大于3：1。

5.根据权利要求1至4任一项所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，两种蓝光芯片的主波长范围分别为445～450nm和457.5～462.5nm。

6.根据权利要求5所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，两种蓝光芯片的主波长至少相差10nm。

7.根据权利要求1所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，相对色温范围为2200K～10000K，当相对色温为4000K以上，得到的光谱用于模拟太阳光谱；当相对色温为4000K以下，得到的光谱用于模拟黑体辐射光谱。

8.根据权利要求7所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，不同色温和黑体辐射光谱符合以下关系：

其中，T代表色温，h为普朗克常数，c为光速2.998×10⁸m/s，K为玻尔兹曼常数，T_B为黑体绝对温度，λ为辐射波长。

9.根据权利要求1所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，所述的青粉为硅基氮氧化物、正硅酸盐、偏硅酸盐或硅铝基氮化物、锗酸盐中的一种或几种荧光粉；所述的绿粉为GaYAG、LuAG、硅基氮化物或硅基氧化物中的一种或几种荧光粉；所述的深红色粉为硅基氮化物红粉或铝基氮化物红粉。

10.根据权利要求1或9所述的类太阳光谱的LED光源，其特征在于，所述的光转化层为荧光粉和封装胶水的混合体，所述封装胶水为环氧树脂、硅胶或硅树脂。

11.一种类太阳光谱的LED光源的制备方法，其特征在于，在LED支架或基板上设置紫光芯片、两种不同主波长范围的蓝光芯片；将光转化层涂覆于紫光芯片、蓝光芯片上；光转化层含有封装胶和荧光粉，荧光粉由下述组分组成：

发射波长为490～505nm的青粉：8％～20％；

发射波长为520～540nm的绿粉：65％～80％；

发射波长为640～660nm的深红色粉：8％～15％；

所得半成品先烘烤至荧光粉充分沉降，再按工艺参数进行固化，得到成品。

12.根据权利要求11所述的类太阳光谱的LED光源的制备方法，其特征在于，如果紫光芯片、蓝光芯片为正装芯片，则通过纯金、合金线和LED支架或基板进行电连接；如果紫光芯片、蓝光芯片为倒装芯片，则通过锡膏或共晶和LED支架或基板进行电连接。

13.根据权利要求11所述的类太阳光谱的LED光源的制备方法，其特征在于，所得半成品先在60℃的烘箱内存放4～5小时，使荧光粉充分沉降，再按工艺参数进行固化，得到产成品。