[发明专利]一种晶体生长炉温度控制系统

权利要求书

1.一种晶体生长炉温度控制系统，其特征在于，包括：加热器(1)、温度检测器(2)和主控制器(3)；

所述加热器(1)包括：上部加热器(11)、中部加热器(12)和底部加热器(13)；所述上部加热器(11)安装在所述晶体生长炉的炉筒上部电极上，所述中部加热器(12)安装在所述晶体生长炉的炉筒中部电极上，以及所述底部加热器(13)安装在所述晶体生长炉的炉底板电极上；所述上部加热器(11)、所述中部加热器(12)和所述底部加热器(13)均与所述主控制器(3)电连接；

所述晶体生长炉的炉盖上设置有电机(5)，所述电机(5)的输出轴上绕设有引线，所述引线的下端穿入所述晶体生长炉内并连接有重力球，所述重力球上设置有所述温度检测器(2)；所述电机(5)和所述温度检测器(2)均与所述主控制器(3)电连接；

所述主控制器(3)将通过所述温度检测器(2)采集的所述晶体生长炉内不同高度处的温度值进行记录，并按照所述晶体生长炉内的空间划分为上下温度区域；将上温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比，计算出上温度区域内的温度偏差值，通过PID算法，获得输出值，根据输出值控制所述上部加热器(11)的电源功率输出值；将下温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比，计算出下温度区域内的温度偏差值，通过PID算法，获得输出值，根据输出值控制所述底部加热器(13)的电源功率输出值；将上下温度区域内的平均温度值和设定炉内温度值进行对比，计算出所述晶体生长炉内的温度偏差值，通过PID算法，获得输出值，根据输出值控制所述中部加热器(12)的电源功率输出值。

2.如权利要求1所述的晶体生长炉温度控制系统，其特征在于，还包括：报警器(4)；所述报警器(4)用于当晶体生长炉内的温度超出设定值范围时，发出报警信号。

3.如权利要求1所述的晶体生长炉温度控制系统，其特征在于，所述上部加热器(11)、所述中部加热器(12)和所述底部加热器(13)均为采用镍铬丝或钨丝编织而成的网状加热器。

4.如权利要求1所述的晶体生长炉温度控制系统，其特征在于，所述上部加热器(11)、所述中部加热器(12)和所述底部加热器(13)均设置在所述晶体生长炉的坩埚与保温屏之间。

5.如权利要求1所述的晶体生长炉温度控制系统，其特征在于，所述温度检测器(2)包括：温度传感器(21)和A/D转换器(22)；所述温度传感器(21)通过所述A/D转换器(22)与所述主控制器(3)电连接。

6.如权利要求1所述的晶体生长炉温度控制系统，其特征在于，所述引线上设置有刻度标记。