[发明专利]一种太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件有效
| 申请号： | 201810069164.8 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108363119B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 亓丽梅;刘畅;陈智娇;姚远;俞俊生;陈晓东 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 马敬;项京 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 第一区域 超材料结构 镀金属 频段 介质层 第二区域 金属 周期性排列 多层金属 加工 | ||
1.一种太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件，其特征在于，所述太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件包括介质层和金属层，所述金属层镀于所述介质层的一个表面；
所述金属层中呈周期性排列有多个第一区域；
当所述多个第一区域为未镀金属区域时，所述金属层中除所述多个第一区域之外的第二区域为镀金属区域；其中，所述第一区域为在预设宽度的正方形边框上，去除相邻两条边上对称位置的长为预设长度、宽为所述预设宽度的矩形区域得到的区域，所述预设长度小于所述正方形边框的边长。
2.根据权利要求1所述的太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件，其特征在于，所述多个第一区域的周期范围为50um～500um。
3.根据权利要求1所述的太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件，其特征在于，所述介质层的厚度大于1um。
4.根据权利要求1所述的太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件，其特征在于，所述金属层的厚度大于150nm。
5.根据权利要求1所述的太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件，其特征在于，所述介质层的材料为石英、硅、蓝宝石、有机高分子聚合薄膜材料或氧化硅。
6.根据权利要求1所述的太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件，其特征在于，所述金属层的金属为铝、金或银。
7.根据权利要求1所述的太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件，其特征在于，所述金属层的金属通过热蒸发沉积法镀于所述介质层的表面。
8.根据权利要求1所述的太赫兹频段的金属-介质超材料结构的器件，其特征在于，所述未镀金属区域通过光刻法、化学刻蚀法或激光切割法形成。
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