[发明专利]一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法有效
| 申请号： | 201810069436.4 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108389809B | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王福喜;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 刻蚀 工艺 改善 表面 颗粒 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于，光刻胶回刻蚀工艺的腔体清洗的复机流程包括如下步骤：
S1进行腔体清洗；
S2对腔体漏率进行检查；
S3对腔体进行气体清洗；
S4对腔体进行暖机；
S5对腔体颗粒和速率进行测试；
其中，所述步骤S3设置为无射频输入；
所述步骤S3包括
S31对腔体进行高压清洗；
S32对腔体进行低压清洗；
S33重复步骤S31和S32的清洗方法清洗腔体；
所述步骤S31中的高压清洗中通入惰性气体进行清洗；
所述惰性气体为氮气和氩气；
所述步骤S33的重复清洗周期为10-20次；
所述氮气的通量保持在600-1000sccm；
所述氩气的通量保持在1600-2000sccm。
2.根据权利要求1所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述步骤S31中的腔体气压为800-1000mtorr。
3.根据权利要求1所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述步骤S32中的腔体气压为0-100mtorr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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