[发明专利]一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺

权利要求书

1.一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：包括以下步骤，

S1：预备清洁完成后、待加工的电路板基板材料，并将该基板材料放置于预备好的激光加工设备加工平台上；保持基板的导体层一面朝下，基板的绝缘层一面朝上；

S2：对激光加工设备中激光器所发出的激光光线进行整形处理，使其成为高斯光束、平顶光斑以及稳态平顶光斑；

S3：利用步骤S2处理完成后的激光光束对步骤S1中放置于激光加工平台上的待加工基板材料(绝缘层一面)进行激光蚀刻；且控制激光蚀刻一直加工到待加工基板的导体层部位，加工完成后露出的导体层形成电路板基板的线路、PAD或接触点；

S4：对步骤S3中加工完毕的电路板基板材料进行清洁处理，将露出的导体层金属面处理干净，并烘干；

S5：对步骤S4中清洁完成的电路板基板的导体层两面进行表面处理；并进行后续电路板加工处理流程；

S6：激光蚀刻加工完成。

2.如权利要求1所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S2中的激光器为纳秒、皮秒、飞秒、准分子、亚纳秒或者是光纤形态激光器。

3.如权利要求1或2所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S2中的激光器为波长范围为480nm-580nm的绿光光源激光器、波长范围为280nm-410nm的UV紫光光源激光器、波长范围为750nm-2500nm的CO2光源激光器或者是波长范围为218nm-299nm的UV深紫光光源激光器。

4.如权利要求1所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S1中待加工基材材料的导体层与绝缘层之间设置有粘结胶层；且该粘结胶层的厚度范围为2微米至50微米。

5.如权利要求1所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S1中导体层为铜箔或铝箔；且导体层厚度范围为2微米至500微米。

6.如权利要求1所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S1中的绝缘层为聚酰亚胺薄膜(Polyimide Film)、热塑性聚酰亚胺TPI(Thermoplastic polyimide)、PP、FR4、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)或聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene)材质制作而成；且绝缘层的厚度范围为5微米至250微米。

7.如权利要求1或4或5或6所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S2中，激光器所发出的激光光斑直径范围为1微米至500微米，且形状为圆形、正方形、长条形或椭圆形造型。

8.如权利要求1所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S3激光蚀刻加工过程中，激光蚀刻加工到待加工基板的导体层部位时，可控制激光蚀刻加工部分导体层材质，且控制被加工的导体层厚度范围在0.1微米至20微米之间。

9.如权利要求1或8所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S4中的清洁处理过程可以为plasma等离子清洗、desmear前处理、化学前处理、微蚀刻(Microetch)、过硫化钠(sodium persulphate)清理、过氧化硫酸(peroxide/sulfuric acid)清理以及喷砂研磨法或机械研磨法。

10.如权利要求1所述的一种单面双接触线路板实现两面接触的激光蚀刻加工工艺，其特征在于：所述步骤S5中的对导体层的表面处理过程包括镀金、化金、镀锡、化锡、镀银、化银、沉锡(Immersion Tin)、沉银(Immersion silver)、化镍浸金(ENIG)或OSP(Organicsolderability preservative)。