[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201810069889.7 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108198826B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 牟广营 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/136 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 袁礼君;王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列基板 绝缘层 第一金属层 过孔槽 衬底基板 拐角 制作 贯穿 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一金属层，形成于衬底基板上；
第一绝缘层，形成于所述第一金属层上；
第一环状过孔槽，贯穿所述第一绝缘层；
第二金属层，形成于有所述第一环状过孔槽的所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，形成于所述第二金属层上；
第二环状过孔槽，贯穿所述第二绝缘层；
第一电极层，形成于有所述第二环状过孔槽的所述第二绝缘层上；
第三绝缘层，形成于所述第一电极层上；
第三环状过孔槽，贯穿所述第三绝缘层；
其中，所述第一环状过孔槽与所述第二环状过孔槽位置不重叠；所述第二环状过孔槽和所述第三环状过孔槽位置相对应。
2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，还包括：
第二电极层，形成于有所述第三环状过孔槽的所述第三绝缘层上；
测试引脚，形成于所述第二电极层上，用于成盒测试或者阵列测试。
3.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一金属层，形成于衬底基板上；
第一绝缘层，形成于所述第一金属层上；
第一环状过孔槽，贯穿所述第一绝缘层；
第二绝缘层，形成于所述第一绝缘层上；其中所述第一环状过孔槽还贯穿所述第二绝缘层；
第一电极层，形成于有所述第一环状过孔槽的所述第二绝缘层上；
测试引脚，形成于所述第一电极层上，用于成盒测试或者阵列测试。
4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成贯穿所述第一绝缘层的第一环状过孔槽；
在形成有所述第一环状过孔槽的所述第一绝缘层上形成第二金属层；
在所述第二金属层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成贯穿所述第二绝缘层的第二环状过孔槽；
在形成有所述第二环状过孔槽的所述第二绝缘层上形成第一电极层；
在所述第一电极层上形成第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成贯穿所述第三绝缘层的第三环状过孔槽；
其中，所述第一环状过孔槽与所述第二环状过孔槽位置不重叠；所述第二环状过孔槽和所述第三环状过孔槽位置相对应。
5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；
形成贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一环状过孔槽；
在所述第二绝缘层上形成第一电极层；
在所述第一电极层上形成用于成盒测试或者阵列测试的测试引脚。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810069889.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阵列基板及其制备方法、显示面板
- 下一篇：一种柔性显示面板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
