[发明专利]高电压竖直功率部件

权利要求书

1.一种竖直功率部件，包括：

第一传导类型的硅衬底；

在所述硅衬底的下表面上的第二传导类型的下半导体区域；

在所述下半导体区域上的下电极；

在所述硅衬底的上表面上的所述第二传导类型的上半导体区域；

在所述上半导体区域的上表面上的栅极电极和上电极；

多孔硅下绝缘环，位于所述下半导体区域和所述硅衬底的外围，并且从所述下电极竖直向上延伸超过所述下半导体区域；

多孔硅上绝缘环，位于所述上半导体区域和所述硅衬底的外围，并且与所述上半导体区域的上表面对齐从所述上半导体区域的上表面竖直向下延伸超过所述上半导体区域，并且与所述多孔硅下绝缘环的相邻部分限定间隙；以及

在所述多孔硅下绝缘环与所述多孔硅上绝缘环之间限定的间隙中的所述第二传导类型的掺杂环，其中所述上半导体区域为在所述掺杂环前面横向地停止的阱 。

2.根据权利要求1所述的部件，其中所述下半导体区域横向地延伸到所述多孔硅下绝缘环。

3.根据权利要求1所述的部件，进一步包括：

所述第一传导类型的第一重掺杂区域，在所述上半导体区域的一部分中延伸，所述第一重掺杂区域和所述上半导体区域的一部分与所述上电极接触；

所述第一传导类型的第二重掺杂区域，在所述上半导体区域的一部分中延伸，所述第二重掺杂区域和所述上半导体区域的一部分与所述栅极电极接触；以及

所述第一传导类型的第三重掺杂区域，在所述下半导体区域的一部分中延伸，所述第三重掺杂区域和所述下半导体区域的一部分与所述下电极接触。

4.根据权利要求1所述的部件，其中所述硅衬底为N型。