[发明专利]TMR液位传感器在审

专利信息
申请号: 201810070376.8 申请日: 2018-01-24
公开(公告)号: CN108195442A 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 时启猛;刘厚方 申请(专利权)人: 北京麦格智能科技有限公司
主分类号: G01F23/24 分类号: G01F23/24
代理公司: 北京创遇知识产权代理有限公司 11577 代理人: 吕学文;武媛
地址: 100081 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 位置感应单元 液位传感器 电连接 电阻 电阻串联 使用寿命 阵列设置 第一极 输出端 体积小 正整数
【权利要求书】:

1.一种TMR液位传感器,其特征在于,所述TMR液位传感器包括N个位置感应单元,N个所述位置感应单元阵列设置,其中,N为大于或等于2的正整数;

所述位置感应单元包括TMR开关、MOS管和电阻;其中,相邻所述位置感应单元中的所述电阻串联,所述MOS管的栅极电连接所述TMR开关的输出端,所述MOS管的第一极电连接所述电阻的第二端,所有所述位置感应单元中的所述MOS管的第二极电连接在一起。

2.根据权利要求1所述的TMR液位传感器,其特征在于,所述TMR液位传感器还包括电压源,所述MOS管为P型MOS管,所述MOS管的源极为所述MOS管的第一极,所述MOS管的漏极为所述MOS的第二极,所述MOS的第二极为所述TMR液位传感器的信号输出端,位于首端的所述位置感应单元中所述电阻的第一端接地,位于尾端的所述位置感应单元中的所述MOS管的第一极电连接所述电压源。

3.根据权利要求2所述的TMR液位传感器,其特征在于,所述TMR液位传感器还包括附加电阻,所述附加电阻串接在位于尾端的所述位置感应单元中的所述MOS管的第一极与所述电压源之间。

4.根据权利要求1所述的TMR液位传感器,其特征在于,所述MOS管为P型MOS管,所述MOS管的漏极为所述MOS管的第一极,所述MOS管的源极为所述MOS的第二极,位于首端的所述位置感应单元中所述电阻的第一端与位于尾端的所述位置感应单元中所述电阻的第二端为所述TMR液位传感器的两个信号输出端。

5.根据权利要求1所述的TMR液位传感器,其特征在于,所述MOS管为P型MOS管,所述MOS管的漏极为所述MOS管的第一极,所述MOS管的源极为所述MOS的第二极,位于尾端的所述位置感应单元的第一极为所述TMR液位传感器的信号输出端;

所述TMR液位传感器还包括电流源,位于首端的所述位置感应单元中的所述MOS管的源极电连接所述电流源的负极,位于首端的所述位置感应单元中的所述电阻的第一端接地。

6.根据权利要求1所述的TMR液位传感器,其特征在于,所述MOS管为P型MOS管,所述MOS管的源极为所述MOS管的第一极,所述MOS管的漏极为所述MOS的第二极,位于尾端的所述位置感应单元的第一极为所述TMR液位传感器的信号输出端;

所述TMR液位传感器还包括电流源,位于尾端的所述位置感应单元中的所述MOS管的第二极电连接所述电流源的正极。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的TMR液位传感器,其特征在于,N个所述位置感应单元在竖直方向上阵列设置。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的TMR液位传感器,其特征在于,所述TMR开关和所述MOS管集成在同一芯片内。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的TMR液位传感器,其特征在于,所述TMR开关和所述MOS管分别独立设置。

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