[发明专利]接触孔的制造方法在审

申请号：	201810071106.9	申请日：	2018-01-25
公开（公告）号：	CN108281380A	公开（公告）日：	2018-07-13
发明（设计）人：	单园园;郭振强	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	郭四华
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	接触孔介质层金属线底部区域自对准开口刻蚀形成接触孔填充金属材料封口介质层材料刻蚀停止层防止接触最大边界平坦化短路衬底光刻刻蚀去除半导体制造
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【权利要求书】：

1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多条金属线，各所述金属线之间具有间隔；

步骤二、形成第一介质层，所述第一介质层的厚度保证将所述金属线之间的间隔顶部封口，所述第一介质层在各所述金属线的表面呈凸起结构；

步骤三、形成第二介质层，所述第二介质层的材料和所述第一介质层的材料不同且作为所述第一介质层刻蚀时的刻蚀停止层；

步骤四、将各所述金属线正上方的所述第二介质层材料去除，各所述金属线之间的所述第二介质层保留，以保留的所述第二介质层作为接触孔的底部的最大偏移的自对准边界；

步骤五、形成第三介质层并进行平坦化，所述第三介质层的材料和所述第一介质层的材料相同；

步骤六、光刻定义出所述接触孔的形成区域，对所述接触孔的形成区域的所述第三介质层和所述第一介质层进行刻蚀形成所述接触孔的开口，刻蚀到所述接触孔的底部区域时，由于在所述金属线的两侧具有所述第二介质层作为自对准边界，使得所述接触孔的底部区域完全位于所述金属线的顶部，防止所述接触孔的底部和邻近的所述金属线短接；

步骤七、在所述接触孔的开口中填充金属材料形成所述接触孔。

2.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述第一介质层的材料为氧化硅。

3.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述第二介质层的材料为氮化硅。

4.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述第一介质层采用常压化学气相沉积工艺形成。

5.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述第三介质层采用常压化学气相沉积工艺形成。

6.如权利要求3所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述第二介质层采用常压化学气相沉积工艺形成。

7.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：步骤二中所述第一介质层将所述金属线之间的间隔全部填充。

8.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：步骤二中所述第一介质层未将所述金属线之间的间隔全部填充且在所述第一介质层形成的封口底部形成有空洞，通过所述空洞减少相邻的所述金属线之间的电容。

9.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：步骤四中采用化学机械研磨工艺将各所述金属线正上方的所述第二介质层材料去除，同时对所述第一介质层和所述第二介质层的叠加层的表面进行平坦化。

10.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：步骤五中采用化学机械研磨工艺对所述第三介质层的表面进行平坦化。

11.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

12.如权利要求11所述的接触孔的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底表面上形成有半导体器件的掺杂区，所述金属线的底部和对应的所述半导体器件的掺杂区连接。