[发明专利]一种IGBT检测电路及保护电路

权利要求书

1.一种IGBT检测电路，其特征在于，包括IGBT、用于控制IGBT的驱动电路、用于检测IGBT集电极电流的电压采样检测电路和用于控制所述驱动电路的逻辑单元，所述逻辑单元、所述驱动电路、IGBT和所述电压采样检测电路依次串联，其中：

所述逻辑单元接入PWM信号，所述IGBT的集电极接高电压；

所述驱动电路包括三极管Q1和MOS管Q2，所述三极管Q1与所述MOS管Q2并联后一端与所述IGBT的门极串联，另一端与所述逻辑单元串联；

所述电压采样检测电路包括取样电阻R1和隔离光耦PC1；

所述取样电阻R1的一端与所述IGBT的集电极串联，另一端串联于所述隔离光耦PC1的一端，所述隔离光耦PC1的另一端与所述逻辑单元串联。

2.根据权利要求1所述的IGBT检测电路，其特征在于，所述逻辑单元具有电压采样检测端Vsoc、脉冲输出端P1和脉冲接收端PW，所述电压采样检测电路与所述电压采样检测端Vsoc连接，所述逻辑单元通过所述脉冲接收端PW接入PWM信号，所述驱动电路与所述脉冲输出端P1连接。

3.根据权利要求1所述的IGBT检测电路，其特征在于，所述三极管Q1的集极接高电压，所述三极管Q1的射极与所述MOS管Q2的漏极并联于所述IGBT门极的一端，所述三极管Q1的基极与所述MOS管Q2的栅极并联于所述逻辑单元，所述MOS管Q2的源极接低电压。

4.根据权利要求1所述的IGBT检测电路，其特征在于，所述驱动电路还包括限流电阻R2，所述三极管Q1与所述MOS管Q2并联后一端与所述IGBT的门极串联，另一端与所述限流电阻R2一端串联，所述限流电阻R2的另一端串联于所述逻辑单元。

5.根据权利要求1所述的IGBT检测电路，其特征在于，所述三极管Q1为NPN三极管，所述MOS管Q2为耗尽型PMOS管。

6.一种IGBT保护电路，包括上述任一项所述IGBT检测电路，其特征在于，还包括用于关断IGBT且与所述驱动电路并联的软关断电路，所述软关断电路包括下拉电阻R3、限流电阻R4、MOS管Q3、隔离光耦PC2和软关断电阻R5，其中：

所述限流电阻R4与所述隔离光耦PC2并联后一端与所述MOS管Q3串联，另一端与所述下拉电阻R3串联；

所述软关断电阻R5与所述MOS管Q3并联。

7.根据权利要求6所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述MOS管Q3为耗尽型NMOS管，所述MOS管Q3的漏极与所述MOS管Q2的源极串联，所述MOS管Q3的源极接低电压，所述限流电阻R4与所述隔离光耦PC2并联后一端与所述MOS管Q3的栅极串联。

8.根据权利要求7所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述逻辑单元具有软关断输出控制端softoff，所述软关断输出控制端softoff与所述隔离光耦PC2的引脚3连接。