[发明专利]一种基准电压源在审

专利信息
申请号: 201810072131.9 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108255225A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 刘飞;霍宗亮;杨诗洋;王颀;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 供电电压 稳压电路 预设电压 带隙基准源 基准电压源 控制电路 输出端 输入端 输出 输入供电电压 预设基准电压 正常工作模式 在待机模式 驱动 基准电压 温度无关 性能要求 低功耗
【说明书】:

发明实施例公开了一种基准电压源,包括:输入端、输出端、稳压电路、控制电路和带隙基准源,其中,所述输入端用于输入供电电压;所述输出端用于输出预设基准电压;所述稳压电路用于对在所述供电电压的驱动下,输出第一电压;所述带隙基准源用于在预设电压的驱动下,输出与温度无关的第一基准电压;所述控制电路用于控制所述预设电压在所述供电电压和所述第一电压之间切换,并在所述预设电压切换至所述供电电压时,控制所述稳压电路停止工作,以既能满足NAND存储器在正常工作模式下的良好性能要求,又能满足NAND存储器在待机模式下具有较低功耗的要求。

技术领域

本发明涉及基准电压技术领域,尤其涉及一种基准电压源。

背景技术

基准电压源是芯片内部提供基准电压的产生电路,其基本功能是产生与工艺(P)、电源电压(V)和温度(T)无关的基准电压。NAND存储器内部的基准电压源用于为电源稳压器(LDO)及内部字线(WL)、位线(BL)、灵敏放大器(PB)等相关的多种电压稳压电路提供与PVT无关的全片精准参考电压,因此,NAND存储器对其基准电压源的性能要求较高。

另外,NAND存储器的行业标准ONFI要求其支持正常工作读写擦(read/program/erase)工作模式和待机(standby)工作模式,并对NAND存储器在待机模式下的最大功耗做出了严苛的限定,即在规定的测试条件下,NAND存储器的最大待机电流(ISB)≤100μA。

因此,提供一种既能满足NAND存储器在正常工作模式下的良好性能要求,又能满足NAND存储器在待机模式下具有较低功耗要求的基准电压源成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种基准电压源,以既能满足NAND存储器在正常工作模式下的良好性能要求,又能满足NAND存储器在待机模式下具有较低功耗的要求。

为解决上述问题,本发明实施例提供了如下技术方案:

一种基准电压源,包括:输入端、输出端、稳压电路、控制电路和带隙基准源,其中,所述输入端用于输入供电电压;所述输出端用于输出预设基准电压;所述稳压电路用于对在所述供电电压的驱动下,输出第一电压;所述带隙基准源用于在预设电压的驱动下,输出与温度无关的第一基准电压;所述控制电路用于控制所述预设电压在所述供电电压和所述第一电压之间切换,并在所述预设电压切换至所述供电电压时,控制所述稳压电路停止工作。

可选的,还包括驱动电路,所述驱动电路用于在所述第一基准电压的作用下,输出第二基准电压;

所述控制电路还用于控制所述预设基准电压在所述第一基准电压和所述第二基准电压之间切换,并在所述预设基准电压切换至所述第一基准电压时,控制所述驱动电路停止工作。

可选的,所述控制电路包括第一多路器、第二多路器和控制模块,其中,所述控制模块用于输出第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号,所述第一控制信号用于控制所述第一多路器在第一状态和第二状态间切换,控制所述第二多路器在第三状态和第四状态间切换,所述第二控制信号用于控制所述稳压电路在启动工作和停止工作间切换,所述第三控制信号用于控制所述驱动电路在启动工作和停止工作间切换;

当所述第一多路器工作在所述第一状态时,所述带隙基准源与所述稳压电路之间的通路断开,与所述输入端之间的通路导通,所述稳压电路停止工作,所述预设电压切换至所述供电电压;当所述第一多路器工作在所述第二状态时,所述带隙基准源与所述输入端之间的通路断开,与所述稳压电路之间的通路导通,所述稳压电路启动工作,所述预设电压切换至所述第一电压;

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