[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

制作第一键合结构，所述第一键合结构包括：第一砷化镓衬底、位于所述第一砷化镓衬底表面第一区域的第一发光层、位于所述第一发光层侧壁的第一阻挡层、位于所述第一发光层背离所述第一砷化镓衬底的第一键合层，所述第一键合层还覆盖所述第一砷化镓衬底表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域并列；

制作第二键合结构，所述第二键合结构包括：第二砷化镓衬底、位于所述第二砷化镓衬底表面第一区域的第二发光层、位于所述第二发光层侧壁的第二阻挡层、位于所述第二发光层背离所述第二砷化镓衬底的第二键合层，所述第二键合层还覆盖所述第二砷化镓衬底表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域并列；

利用所述第一键合层和所述第二键合层，将所述第一键合结构和所述第二键合结构键合，其中，所述第二键合层中的第一区域与所述第一键合层中的第二区域键合，所述第二键合层中的第二区域与所述第一键合层中的第一区域键合；

去除所述第一砷化镓衬底以及位于所述第二发光层表面的第一键合层和第二键合层；

在所述第一发光层表面形成第一电极；

在所述第二发光层表面形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该方法在去除所述第一砷化镓衬底以及位于所述第二发光层表面的第一键合层和第二键合层之前还包括：

去除所述第二砷化镓衬底，并在所述第二砷化镓衬底所在位置形成第三键合层；

在所述第三键合层背离所述第一砷化镓的一侧键合硅衬底。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作第一键合结构包括：

提供第一砷化镓衬底；

在所述第一砷化镓衬底表面第一区域形成第一发光层；

在所述第一发光层侧壁形成第一阻挡层；

在所述第一发光层背离所述第一砷化镓衬底一侧形成第一键合层，所述第一键合层还覆盖所述第一砷化镓衬底表面的第二区域，所述第二区域与所述第一区域并列。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述第一发光层背离所述第一砷化镓衬底一侧形成第一键合层包括：

在所述第一发光层背离所述第一砷化镓衬底一侧形成第一反射层，所述第一反射层还覆盖所述第一砷化镓衬底表面的第二区域；

在所述第一反射层背离所述第一发光层一侧形成第一粘合层。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一键合层的形成工艺为蒸镀工艺。

6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡层为非导电的透明氧化物层。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制作方法，其特征在于，该方法包括：

对所述第一发光层未被所述第一电极覆盖的区域进行粗化处理；

对所述第二发光层未被所述第二电极覆盖的区域进行粗化处理。

8.一种LED芯片，其特征在于，利用权利要求1-7任一项所述的制作方法制作，该LED芯片包括：

衬底；

位于所述衬底表面的第三键合层，所述第三键合层表面包括并列的第一区域和第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；

位于所述第一区域的第一发光层；

位于所述第二区域的第二发光层；

位于所述第三区域的阻挡层；

位于所述第一发光层背离所述第三键合层一侧的第一电极；

位于所述第二发光层背离所述第三键合层一侧的第二电极。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述第一发光层表面未被所述第一电极覆盖的区域为粗糙表面；所述第二发光层表面未被所述第二电极覆盖的区域为粗糙表面。

10.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底为硅衬底。