[发明专利]一种智能电能表的EEPROM数据保护方法有效

申请号：	201810072536.2	申请日：	2018-01-25
公开（公告）号：	CN110083479B	公开（公告）日：	2023-08-01
发明（设计）人：	杨建明;丁小燕;仲敢;王道安;刘志成	申请（专利权）人：	宁波三星医疗电气股份有限公司
主分类号：	G06F11/10	分类号：	G06F11/10;G06F11/14
代理公司：	宁波诚源专利事务所有限公司 33102	代理人：	袁忠卫
地址：	315191 浙江省宁***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种智能电能表 eeprom 数据保护方法
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【权利要求书】：

1.一种智能电能表的EEPROM数据保护方法，其特征在于：包括智能电能表参数保护模块和智能电能表电量保护模块，其中，所述智能电能表参数保护模块中设有EEPROM不同片区的参数双备份区以及MCU的FLASH参数固化区，所述智能电能表电量保护模块中设有MCU的RAM内的两电量存储区和EEPROM不同片区的电量双备份区，EEPROM数据保护方法包括以下步骤：

步骤（1）、当EEPROM部分区故障或整体故障时，通过智能电能表参数保护模块进行功能模块内部使用参数操作和系统定时检查参数操作，确保智能电能表表计正常运行；

所述智能电能表参数保护模块实现系统定时检查参数操作，包括如下步骤：

步骤（1-1b）、系统定时检查开始，每分钟执行m次；其中m为正整数；

步骤（1-2b）、对RAM内的所有参数值执行CRC校验，若CRC校验正确则转至步骤（1-8b），反之则转入步骤（1-3b）；

步骤（1-3b）、读取EEPROM的第一参数备份区数据到RAM；

步骤（1-4b）、对RAM内的参数值执行CRC校验，若CRC校验正确则转至步骤（1-8b），反之则转入步骤（1-5b）；

步骤（1-5b）、读取EEPROM的第二参数备份区数据到RAM；

步骤（1-6b）、对RAM内的参数值执行CRC校验，若CRC校验正确则转至步骤（1-9b），反之则转至步骤（1-7b）；

步骤（1-7b）、将MCU的FLASH参数固化区内的参数数据恢复到RAM；

步骤（1-8b）、结束返回；

步骤（1-9b）、将当前RAM内的参数值写入EEPROM的第一参数备份区内，并转至步骤（1-8b）；

步骤（2）、当EEPROM部分区故障或整体故障时，通过智能电能表电量保护模块进行电量存储操作和电量读取操作，确保智能电能表的电量正常。