[发明专利]存储元件的位线的制作过程、存储元件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储元件的位线的制作过程，其特征在于，所述制作过程包括：

提供基底，所述基底包括半导体衬底以及设置在所述半导体衬底中的隔离结构，所述隔离结构用于隔离出所述半导体衬底的多个有源区，所述基底的上表面包含所述有源区的源极表面及所述隔离结构的绝缘隔离面；

在所述源极表面以及所述绝缘隔离面上依次沉积位线接触层及位线导体层，其中，所述位线接触层覆盖所述源极表面以及相邻源极表面之间的所述绝缘隔离面；以及

依照位线图案依次图案化刻蚀去除在所述位线图案外的部分所述位线导体层与所述位线接触层，以露出所述半导体衬底的部分上表面，其中，去除后的所述位线导体层形成为位线导体，并且刻蚀所述位线导体层的过程包括主刻蚀步骤及过刻蚀步骤，在所述主刻蚀步骤中，去除后的所述位线接触层形成为所述源极表面上的位线接触，在所述过刻蚀步骤中，所述位线接触层在相邻两个所述位线接触间且在所述绝缘隔离面上的位线接触残留物以侧蚀控制的刻蚀气体去除，其中，所述刻蚀气体包含溴化氢和氧气，所述位线接触层的材料包含Si或SiO。

2.根据权利要求1所述的制作过程，其特征在于，所述绝缘隔离面向内凹陷形成沟槽，在所述过刻蚀步骤后，所述位线接触的侧蚀凹陷深度等于或者小于所述绝缘隔离面的表面凹陷深度。

3.根据权利要求2所述的制作过程，其特征在于，所述位线接触层的材料包括多晶硅。

4.根据权利要求3所述的制作过程，其特征在于，所述半导体衬底上方的所述位线接触层的主刻蚀步骤包括：

采用包括溴化氢、氯气以及氧气的刻蚀气体刻蚀去除所述半导体衬底上方的部分所述位线接触层，以形成所述位线接触。

5.根据权利要求4所述的制作过程，其特征在于，实施所述半导体衬底上方的所述位线接触层的主刻蚀步骤的刻蚀气体中，溴化氢、氯气以及氧气的体积比的范围介于(85～95)：(4～10)：(1～5)。

6.根据权利要求1所述的制作过程，其特征在于，在所述过刻蚀步骤中，所述位线接触的剖切外形取决于所述过刻蚀步骤中氧气的通入量，在所述过刻蚀步骤中，氧气通入量的增加加速侧蚀保护膜的生成。

7.根据权利要求3所述的制作过程，其特征在于，去除所述位线接触残留物的过刻蚀步骤的刻蚀气体中，溴化氢与氧气的体积比的范围介于(45～55)：(2～8)。

8.根据权利要求7所述的制作过程，其特征在于，去除所述位线接触残留物的过刻蚀步骤的刻蚀气体还包括氦气，且溴化氢、氧气与氦气的体积比的范围介于(45～55)：(2～8)：(40～50)。

9.根据权利要求3所述的制作过程，其特征在于，形成所述位线接触的主刻蚀步骤在刻蚀反应腔中进行，所述主刻蚀步骤中，控制所述刻蚀反应腔的压力小于或等于10mTorr；去除所述位线接触残留物(30A)的过刻蚀步骤控制所述刻蚀反应腔的压力大于或等于50mTorr。

10.根据权利要求1所述的制作过程，其特征在于，提供所述基底的过程包括：

提供所述半导体衬底，并在所述半导体衬底中开设凹槽；

在所述凹槽中设置所述隔离结构，且所述绝缘隔离面至少与所述源极表面平齐；以及

刻蚀去除部分所述隔离结构，使得所述绝缘隔离面向内凹陷形成沟槽。

11.根据权利要求10所述的制作过程，其特征在于，所述形成所述沟槽的过程包括：

在所述源极表面和所述绝缘隔离面上设置刻蚀掩膜层，且所述刻蚀掩膜层为氮化硅层；以及

采用包括四氟化碳和三氟甲烷的刻蚀气体刻蚀去除所述刻蚀掩膜层以及部分所述隔离结构，形成所述沟槽，其中，所述三氟甲烷和四氟化碳的体积比在0.8～1.2之间。